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Der Unterschied zwischen diskretem IGBT und IGBT-Modul
2022-03-17
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Das IGBT-Modul kann als funktionale Verbesserung und Erweiterung des diskreten IGBT angesehen werden. Ihre Anwendungsgebiete sind grundsätzlich gleich. Aufgrund der Integration verschiedener Ansteuer- und Schutzschaltungen ist die Installation von IGBT-Modulen für den Anwender jedoch sehr komfortabel. Mit der Einführung neuer Verpackungstechnologien wurde auch die Leistung von IGBT erheblich verbessert und der Anwendungsbereich von IGBT erweitert.
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Das IGBT-Stromversorgungsmodul wird von IC, verschiedenen Treiberschutzschaltungen, Hochleistungs-IGBT-Chips und neuer Verpackungstechnologie angetrieben und hat sich vom zusammengesetzten Stromversorgungsmodul PIM zum intelligenten Stromversorgungsmodul IPM, Leistungselektronik-Baustein PEBB und Stromversorgungsmodul IPEM entwickelt. PIM entwickelt sich in Richtung Hochspannung und Hochstrom, und die Produktklasse liegt bei 1200–1800 A/1800–3300 V.
Neben der frequenzvariablen Drehzahlregelung wurde ein 600A/2000V IPM im VVVF-Wechselrichter von Elektrolokomotiven eingesetzt. Hochstrom-IGBT-Module mit niederinduktiver Gehäusetechnologie sind PEBBs aktiver Bauelemente, die in Schiffssendern eingesetzt werden. IPEM nutzt die Technologie des gemeinsam gebrannten Keramikchip-Multichip-Moduls zur Montage von PEBBs, wodurch die Induktivität der Schaltungsverdrahtung deutlich reduziert und die Systemeffizienz verbessert wird. Nun wurde die zweite IPEM-Generation erfolgreich entwickelt, bei der alle passiven Komponenten im Substrat vergraben sind. Intelligentisierung und Modularisierung sind zu den wichtigsten Schwerpunkten der IGBT-Entwicklung geworden.
Das IGBT-Stromversorgungsmodul wird von IC, verschiedenen Treiberschutzschaltungen, Hochleistungs-IGBT-Chips und neuer Verpackungstechnologie angetrieben und hat sich vom zusammengesetzten Stromversorgungsmodul PIM zum intelligenten Stromversorgungsmodul IPM, Leistungselektronik-Baustein PEBB und Stromversorgungsmodul IPEM entwickelt. PIM entwickelt sich in Richtung Hochspannung und Hochstrom, und die Produktklasse liegt bei 1200–1800 A/1800–3300 V.
Neben der frequenzvariablen Drehzahlregelung wurde ein 600A/2000V IPM im VVVF-Wechselrichter von Elektrolokomotiven eingesetzt. Hochstrom-IGBT-Module mit niederinduktiver Gehäusetechnologie sind PEBBs aktiver Bauelemente, die in Schiffssendern eingesetzt werden. IPEM nutzt die Technologie des gemeinsam gebrannten Keramikchip-Multichip-Moduls zur Montage von PEBBs, wodurch die Induktivität der Schaltungsverdrahtung deutlich reduziert und die Systemeffizienz verbessert wird. Nun wurde die zweite IPEM-Generation erfolgreich entwickelt, bei der alle passiven Komponenten im Substrat vergraben sind. Intelligentisierung und Modularisierung sind zu den wichtigsten Schwerpunkten der IGBT-Entwicklung geworden.
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