Línea directa de servicio
Noticias
Noticias
La diferencia entre IGBT discreto y módulo IGBT
2022-03-17
719
El módulo IGBT puede considerarse como la mejora funcional y actualización del IGBT discreto. Sus campos de aplicación son básicamente los mismos. Sin embargo, debido a la integración de varios circuitos de conducción y protección, la instalación de módulos IGBT es muy conveniente para los usuarios. Con la adopción de nueva tecnología de embalaje, el rendimiento de los IGBT también ha mejorado considerablemente, ampliando el campo de aplicación de los IGBT.
??
El módulo de fuente de alimentación IGBT se controla mediante circuitos integrados (CI), diversos circuitos de protección, chips IGBT de alto rendimiento y una nueva tecnología de encapsulado. Ha evolucionado desde el módulo de fuente de alimentación compuesto PIM hasta el módulo de fuente de alimentación inteligente IPM, el bloque de construcción de electrónica de potencia PEBB y el módulo de fuente de alimentación IPEM. El PIM se está desarrollando para alta tensión y alta corriente, y su grado de producto es de 1200-1800 A/1800-3300 V.
Además de la regulación de velocidad de frecuencia variable, el IPM de 600 A/2000 V se ha utilizado en el inversor VVVF de locomotoras eléctricas. Tecnología de empaquetado de baja inductancia. Los módulos IGBT de alta corriente son PEBB de dispositivos activos, que se utilizan en transmisores de barcos. El IPEM utiliza la tecnología de módulo multichip de chip cerámico cocido para ensamblar el PEBB, lo que reduce considerablemente la inductancia del cableado del circuito y mejora la eficiencia del sistema. Ahora, se ha desarrollado con éxito el IPEM de segunda generación, en el que todos los componentes pasivos están integrados en el sustrato. La inteligenteización y la modularización se han convertido en puntos clave del desarrollo de IGBT.
El módulo de fuente de alimentación IGBT se controla mediante circuitos integrados (CI), diversos circuitos de protección, chips IGBT de alto rendimiento y una nueva tecnología de encapsulado. Ha evolucionado desde el módulo de fuente de alimentación compuesto PIM hasta el módulo de fuente de alimentación inteligente IPM, el bloque de construcción de electrónica de potencia PEBB y el módulo de fuente de alimentación IPEM. El PIM se está desarrollando para alta tensión y alta corriente, y su grado de producto es de 1200-1800 A/1800-3300 V.
Además de la regulación de velocidad de frecuencia variable, el IPM de 600 A/2000 V se ha utilizado en el inversor VVVF de locomotoras eléctricas. Tecnología de empaquetado de baja inductancia. Los módulos IGBT de alta corriente son PEBB de dispositivos activos, que se utilizan en transmisores de barcos. El IPEM utiliza la tecnología de módulo multichip de chip cerámico cocido para ensamblar el PEBB, lo que reduce considerablemente la inductancia del cableado del circuito y mejora la eficiencia del sistema. Ahora, se ha desarrollado con éxito el IPEM de segunda generación, en el que todos los componentes pasivos están integrados en el sustrato. La inteligenteización y la modularización se han convertido en puntos clave del desarrollo de IGBT.
Recomendaciones relacionadas
Discurso de Song Yuanming en la Conferencia de Huaqiang: El camino hacia el posicionamiento global de Kinghelm y Slkor.
2026-06-05
710
Tras dos títulos consecutivos, seguimos progresando — Entrevista de Slkor con Sun Gaofei
2026-06-11
472
粤公网安备44030002007346号