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雙極性電晶體(BJT) 電晶體,半導體電晶體,又稱雙極性電晶體,是一種能夠控制電流的半導體元件。依其結構區分為NPN電晶體、PNP電晶體。具有電壓或電流放大作用,可用於放大電路、振盪電路、調變與解調電路、開關電路等。
13001 NPN 雙極電晶體 SOT-23 隆重介紹 13001 NPN 雙極電晶體,這是一款專為高壓和功率應用而設計的堅固耐用的多功能組件。此電晶體採用緊湊的 SOT-23 封裝,提供 600V 的最大集極-射極電壓 (Vceo),可滿足嚴苛的電路要求。集電極電流 (Ic) 容量高達 0.2A,額定功耗為 0.75W,可確保在各種設定下可靠運作。 13001 具有 0.5V 的低飽和電壓 (VCE(sat)) 和 8MHz 的過渡頻率 (fT),使其適用於開關和放大任務。
13001S NPN 雙極電晶體 TO-92 Polar NPN 高壓電晶體專為在高壓應用中實現穩健的性能而設計。此電晶體的集電極-射極額定電壓 (Vceo) 為 450V,最大集電極電流 (Ic) 為 0.2A,非常適合電源開關和放大任務。它具有 0.625W 的功耗 (Pd) 能力和 0.4mA 集極電流和 50mA 基極電流時 10V 的低集極-射極飽和電壓 (VCE(sat))。此電晶體還提供 8MHz 的過渡頻率 (fT),確保在高頻下有效運作。其耐用性和效率使其成為要求苛刻的電子系統的可靠選擇。
2N2222A NPN 雙極電晶體 TO-92 採用 TO-92 塑膠封裝的矽 NPN 電晶體。
2N3906 NPN 雙極電晶體 TO-92 2N3906 是一款多功能 NPN 雙極電晶體,以其在各種電子電路中的可靠性和效率而聞名。此電晶體採用 TO-92 封裝,設計用於處理 -40V 的最大集極-射極電壓 (Vceo) 和 -200mA 的連續集極電流 (Ic)。它的額定功耗 (Pd) 為 625mW,可在典型工作條件下有效管理散熱。 2N3906 具有 250MHz 的高轉換頻率 (fT),非常適合需要高速開關和訊號放大的應用。
2N5401 PNP 雙極電晶體 TO-92 2N5401 是一款多功能 PNP 雙極接面電晶體 (BJT),專為電子電路中的通用開關和放大而設計。它採用 TO-92 封裝,具有強大的性能,最大集電極-發射極電壓 (Vceo) 為 -150V,最大集極電流 (Ic) 為 -0.6A。該晶體管因其可靠性和易於集成在各種電路設計中而受到好評。
2N5551 NPN 雙極電晶體 TO-92 推出 2N5551 NPN 雙極電晶體,這是一款專為要求嚴格的電子應用而設計的高性能元件。此電晶體採用 TO-92 封裝,可提供 160V 的最大集電極-射極電壓 (Vceo),並支援高達 0.6A 的集極電流 (Ic)。耗電量為 625mW,飽和電壓 (VCE(sat)) 為 0.2V,確保高效率運作。 2N5551 還擁有令人印象深刻的 300MHz 過渡頻率 (fT),使其適合高頻應用。
2SA1015-B PNP 雙極電晶體 TO-92 2SA1015-B PNP 雙極電晶體旨在為各種電子應用提供卓越的性能和可靠性。憑藉其先進的規格和穩健的設計,該晶體管以其在訊號放大和開關操作方面的效率而脫穎而出。
2SA1037-R PNP 雙極電晶體 SOT-23 2SA1037-R PNP 數位電晶體是一款高性能 PNP 電晶體,旨在在要求苛刻的電子應用中提供可靠的運作。最大集電極-射極電壓 (Vceo) 為 50V,非常適合各種開關和放大任務。此電晶體擁有 140MHz 的高轉換頻率 (fT),非常適合高速訊號處理。
2SA1661-Y PNP 雙極電晶體 SOT-89 2SA1661-Y PNP 數位電晶體是一款高性能晶體管,旨在滿足現代電子應用的需求。憑藉其強大的電壓處理能力和高頻響應,此電晶體在各種電路中提供可靠的性能和效率。 2SA1661-Y PNP 數位電晶體特別適合高頻和高溫環境,即使在具有挑戰性的條件下也能確保穩定性和耐用性。
2SA1774-R PNP 雙極型電晶體 SOT-523 VCEO(V):50V PD(W)(PD(W)):150mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V)):500mV fT(MHz)(fT(MHz)):140MHz Package(Package):SOT-523​ IC(A)(IC(A)):150mA
2SB1188-R PNP 雙極電晶體 SOT-89 高性能 NPN 電晶體專為需要強大性能和可靠性的嚴苛電子應用而設計。此電晶體的 Vceo 額定值為 -32V,最大 Ic 為 -2A,可提供可靠的功率處理和開關能力。
2SB1260-R PNP 雙極電晶體 SOT-89 2SB1260-R PNP 雙極電晶體是一款堅固耐用的多功能組件,專為各種電子系統中的高可靠性應用而設計。此電晶體專為處理高達 80V 的集電極-發射極電壓而設計,即使在嚴苛的環境下也能確保穩定的性能。憑藉其緊湊的設計和出色的熱特性,它非常適合需要精確控制和效率的應用。
2SB1386-R PNP 雙極電晶體 SOT-89 2SB1386-R PNP 數位電晶體是一款針對高電流和高頻操作進行最佳化的多功能裝置。它的最大集電極-射極電壓 (VCE) 為 20V,連續集極電流 (Ic) 額定值為 5A,非常適合功率放大和開關應用。此電晶體在 0.35A 集電極電流和 4A 基極電流下具有 0.1V 的低飽和電壓 (VCE(sat)),確保最小的功耗和高效的性能。
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