据市场研究公司TrendForce的调查显示，受汽车、工业和通信领域需求的推动，第三代半导体的增长势头预计将在今年迅速反弹。其中，氮化镓（GaN）功率器件的增长最为显著，市场规模预计将达到6100万美元，年增长率高达90.6%。2018年至2020年，第三代半导体行业先后受到中美贸易摩擦、疫情等因素的影响，整体市场增长势头不足。然而，TrendForce预计，首先，随着疫苗的出现，疫情将有所缓解，这将带动工业能源转换（如逆变器、变频器等）和通信基站等应用领域对相关器件的需求趋于稳定；其次，随着特斯拉Model 3电动汽车逆变器逐步转向碳化硅（SiC）器件制造工艺，第三代半导体在汽车市场也将逐渐受到更多关注。第三，为了增强半导体自主性，中国政府今年提出了“十四五”规划，并投入巨资扩大产能。这三大因素将成为今年GaN、SiC等第三代半导体快速增长的驱动力。观察各类第三代半导体器件，GaN器件目前已有台积电（2330台）、世界先进技术（5347台）等晶圆代工厂尝试引进8英寸晶圆生产，但目前主力仍是6英寸晶圆。TrendForce预测，随着疫情放缓，对5G基站射频前端、手机充电器和车载能量传输等产品的需求将逐步增长。预计今年GaN通信和功率器件的营收将分别达到6.8亿美元和6100万美元，同比增长30.8%和90.6%。其中，GaN功率器件增长的主要驱动力来自小米、OPPO、vivo等手机品牌率先推出快充技术，笔记本电脑厂商也对此表现出浓厚的兴趣。TrendForce预测，GaN器件将继续渗透到手机和笔记本电脑配件领域，年增长率将在2022年达到峰值。随后，随着厂商逐步采用更多主流设备，增长势头将略有放缓。    

至于碳化硅（SiC）器件，由于通信和电源领域都需要衬底，6英寸晶圆的供应十分紧张。预计今年电源领域SiC器件的收入将达到680亿美元，同比增长32%。目前，科锐（CREE）、II-VI、意法半导体（STMicroelectronics）等主要衬底厂商已相继推出8英寸衬底的研发计划，但预计要到2022年以后，供应紧张的局面才能逐步缓解。

免责声明：本文转载自“摩尔新新闻”，该新闻支持知识产权保护。转载请注明原出处及作者。如有侵权，请联系我们删除。

公司电话号码：+86-0755-83044319
传真：+86-0755-83975897
电子邮件：1615456225@qq.com
QQ：3518641314 李经理

QQ：332496225 邱经理

地址：深圳市龙华新区民治大道1079号展涛科技大厦C座809室