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今年氮化鎵功率元件的產值預計將成長90%。
2022-03-16 236



根據市場研究公司TrendForce的調查顯示,受汽車、工業和通訊領域需求的推動,第三代半導體的成長動能預計將在今年迅速反彈。其中,氮化鎵(GaN)功率元件的成長最為顯著,市場規模預計將達到6,100萬美元,年增率高達90.6%。 2018年至2020年,第三代半導體產業先後受到中美貿易摩擦、疫情等因素的影響,整體市場成長動能不足。然而,TrendForce預計,首先,隨著疫苗的出現,疫情將有所緩解,這將帶動工業能源轉換(如逆變器、變頻器等)和通訊基地台等應用領域對相關裝置的需求趨於穩定;其次,隨著特斯拉Model 3電動車逆變器逐步轉向碳化矽(SiC)裝置製造製程,第三代導體在汽車市場也將逐漸受到更多關注。第三,為了增強半導體自主性,中國政府今年提出了「十四五」規劃,並投入大量資金擴大產能。這三大因素將成為今年GaN、SiC等第三代半導體快速成長的驅動力。觀察各類第三代半導體裝置,GaN元件目前已有台積電(2330台)、世界先進技術(5347台)等晶圓代工廠嘗試引進8吋晶圓生產,但目前主力仍是6吋晶圓。 TrendForce預測,隨著疫情放緩,對5G基地台射頻前端、手機充電器和車載能量傳輸等產品的需求將逐漸成長。今年GaN通訊和功率元件的營收將分別達到6.8億美元和6,100萬美元,年增30.8%和90.6%。其中,GaN功率裝置成長的主要驅動力來自小米、OPPO、vivo等手機品牌率先推出快充技術,筆電廠商也對此展現濃厚的興趣。 TrendForce預測,GaN裝置將繼續滲透到手機和筆記型電腦配件領域,年增長率將在2022年達到高峰。隨後,隨著廠商逐步採用更多主流設備,成長動能將略有放緩。    

至於碳化矽(SiC)裝置,由於通訊和電源領域都需要襯底,6吋晶圓的供應十分緊張。預計今年電源領域SiC裝置的營收將達到680億美元,年增32%。目前,科銳(CREE)、II-VI、意法半導體(STMicroelectronics)等主要基板廠商已相繼推出8吋基板的研發計劃,但預計要到2022年後,供應緊張的局面才能逐步緩解。


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