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Der Produktionswert von GaN-Leistungshalbleitern wird in diesem Jahr voraussichtlich um 90 % steigen.
2022-03-16 236



Laut einer Studie des Marktforschungsunternehmens TrendForce wird sich das Wachstum von Halbleitern der dritten Generation in diesem Jahr voraussichtlich deutlich erholen. Treiber dieser Entwicklung sind die Bedürfnisse der Automobil-, Industrie- und Kommunikationsbranche. GaN-Leistungskomponenten werden das stärkste Wachstum verzeichnen und voraussichtlich ein Marktvolumen von 61 Millionen US-Dollar erreichen, was einer jährlichen Wachstumsrate von 90.6 % entspricht. Von 2018 bis 2020 war die Halbleiterindustrie der dritten Generation jedoch durch Handelskonflikte zwischen China und den USA, die Pandemie und weitere Faktoren beeinträchtigt, wodurch das Marktwachstum insgesamt unzureichend ausfiel. TrendForce geht jedoch davon aus, dass sich die Pandemie nach der Verfügbarkeit eines Impfstoffs verlangsamen wird. Dies dürfte die Nachfrage nach Komponenten für die industrielle Energieumwandlung, wie Wechselrichter und Frequenzumrichter, sowie nach Kommunikationsbasisstationen stabilisieren. Zudem werden Halbleiter der dritten Generation im Automobilmarkt zunehmend an Bedeutung gewinnen, da die Wechselrichter des Tesla Model 3 schrittweise auf SiC-Komponenten umgestellt werden. Drittens hat die chinesische Regierung zur Stärkung der Autonomie der Halbleiterindustrie in diesem Jahr den 14. Fünfjahresplan vorgelegt und erhebliche Summen in den Ausbau der Produktionskapazitäten investiert. Diese drei Hauptfaktoren werden in diesem Jahr das rasante Wachstum von Halbleitern der dritten Generation wie GaN und SiC maßgeblich vorantreiben. Betrachtet man verschiedene Komponenten der dritten Generation, so versuchen einige Waferhersteller wie TSMC (2330 TW) und World Advanced Technology (5347 TW) derzeit, die Produktion von 8-Zoll-Wafern einzuführen, wobei der Schwerpunkt aktuell noch auf 6-Zoll-Wafern liegt. TrendForce schätzt, dass mit dem Abklingen der Pandemie die Nachfrage nach HF-Frontends für 5G-Basisstationen, Ladegeräten für Mobiltelefone und Fahrzeugenergieübertragung schrittweise steigen wird. Der Umsatz mit GaN-Kommunikations- und Leistungskomponenten wird in diesem Jahr voraussichtlich 680 Millionen US-Dollar bzw. 61 Millionen US-Dollar erreichen, was einem jährlichen Anstieg von 30.8 % bzw. 90.6 % entspricht. Haupttreiber des Wachstums von GaN-Leistungskomponenten sind Mobiltelefonhersteller wie Xiaomi, OPPO und Vivo, die mit Schnellladefunktionen eine Vorreiterrolle einnehmen. Auch Laptop-Hersteller zeigen Interesse, diesem Beispiel zu folgen. TrendForce prognostiziert, dass GaN-Komponenten weiterhin in Mobiltelefon- und Laptop-Zubehör Einzug halten werden und die jährliche Wachstumsrate 2022 ihren Höhepunkt erreichen wird. Anschließend wird sich das Wachstum leicht verlangsamen, da Hersteller die Technologie zunehmend in gängigere Geräte integrieren.    

Da Substrate für SiC-Komponenten sowohl in der Kommunikations- als auch in der Energietechnik benötigt werden, ist das Angebot an 6-Zoll-Wafern angespannt. Schätzungen zufolge wird der Umsatz mit SiC-Komponenten im Energiebereich in diesem Jahr 680 Millionen US-Dollar erreichen, was einem jährlichen Anstieg von 32 % entspricht. Derzeit haben große Substrathersteller wie CREE, II-VI und STMicroelectronics sukzessive Entwicklungspläne für 8-Zoll-Substrate gestartet. Eine allmähliche Entspannung der Lieferengpässe wird jedoch erst nach 2022 erwartet.


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