为了使向高能效宽禁带半导体技术的过渡更加便捷，意法半导体发布了两个集成电源系统封装，masterGaN3* 和 masterGaN5，分别适用于高达 45W 和 150W 的功率转换应用。

意法半导体 (STMicroelectronics) 的 masterGaN 概念简化了 GaN 宽禁带功率技术的开发流程，可替代传统的硅基 MOSFET。这款新产品集成了两个 650V 功率晶体管，并配备了优化的高压栅极驱动器和相关的安全保护电路，从而解决了栅极驱动器和电路布局设计方面的难题。由于 GaN 晶体管能够实现更高的开关频率，因此这种新型集成电源系统封装能够实现比硅基设计小 80% 的电源，并且具有极高的稳健性和可靠性。

masterGaN3的两个GaN功率晶体管的导通电阻(Rds(on))值不相等，分别为225mΩ和450mΩ，使其适用于软开关和有源整流转换器。masterGaN5中两个晶体管的导通电阻(Rds(on))值均为450mΩ，适用于LLC谐振和有源钳位反激转换器等拓扑结构。

与 masterGaN 产品系列的其他成员一样，这两款器件均具有兼容 3.3V 至 15V 逻辑信号的输入，从而简化了产品与主机控制器（例如 DSP 处理器、FPGA 或微控制器）以及外部设备（例如霍尔传感器）的连接。此外，这两款新产品还集成了多种安全保护功能，包括高侧和低侧欠压锁定 (UVLO)、栅极驱动器互锁、过温保护和关断引脚。

每个 masterGaN 产品都配有专用的原型开发板，以帮助设计人员快速启动新的电源项目。

EVALmasterGAN3 和 EVALmasterGAN5 开发板均包含单端或互补驱动信号发生器电路。板载可调死区时间发生器以及相关的器件接口，允许用户使用不同的输入信号或 PWM 信号，连接外部自举二极管以改善容性负载，并插入低侧电流检测电阻以构建峰值电流拓扑结构。

masterGaN3 和 masterGaN5 现已投入量产，采用 9mm x 9mm GQFN 封装，针对高压应用进行了优化，高压焊盘和低压焊盘之间的爬电距离为 2mm。

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