Bagi menjadikan peralihan kepada teknologi semikonduktor jurang jalur lebar yang sangat cekap tenaga lebih mudah, STMicroelectronics telah mengeluarkan dua pakej sistem kuasa bersepadu, masterGaN3* dan masterGaN5, untuk aplikasi penukaran kuasa masing-masing sehingga 45W dan 150W.

Bersama-sama masterGaN1, masterGaN2 dan masterGaN4 untuk aplikasi 65W hingga 400W, kedua-dua produk baharu ini menyediakan lebih banyak fleksibiliti kepada jurutera yang mereka bentuk bekalan kuasa pensuisan, pengecas, penyesuai, pembetulan faktor kuasa voltan tinggi (PFC) dan penukar DC/DC dalam memilih peranti dan penyelesaian pemacu galium nitrida (GaN) yang betul.
 

Konsep masterGaN STMicroelectronics memudahkan proses pembangunan teknologi kuasa jurang jalur lebar GaN untuk menggantikan MOSFET berasaskan silikon biasa. Produk baharu ini mengintegrasikan dua transistor kuasa 650V dengan pemacu get voltan tinggi yang dioptimumkan dan litar perlindungan keselamatan yang berkaitan, sekali gus menghapuskan cabaran reka bentuk susun atur pemacu get dan litar. Oleh kerana transistor GaN boleh mencapai frekuensi pensuisan yang lebih tinggi, pakej sistem kuasa bersepadu baharu ini boleh mendayakan bekalan kuasa yang 80% lebih kecil daripada reka bentuk berasaskan silikon dan sangat teguh serta boleh dipercayai.

Nilai rintangan hidup (Rds(on)) bagi dua transistor kuasa GaN masterGaN3 adalah tidak sama, masing-masing 225mΩ dan 450mΩ, menjadikannya sesuai untuk pensuisan lembut dan penukar rektifikasi aktif. Dalam masterGaN5, nilai rintangan hidup (Rds(on)) bagi kedua-dua transistor ialah 450mΩ, yang sesuai untuk topologi seperti resonans LLC dan penukar flyback pengapit aktif.

Seperti ahli keluarga produk masterGaN yang lain, kedua-dua peranti mempunyai input yang serasi dengan isyarat logik 3.3V hingga 15V, memudahkan sambungan produk itu sendiri kepada pengawal hos seperti pemproses DSP, FPGA atau mikropengawal dan peranti luaran seperti sensor Hall. Produk baharu ini juga menyepadukan ciri perlindungan keselamatan, termasuk penguncian voltan bawah sisi tinggi dan rendah (UVLO), saling kunci pemacu get, perlindungan suhu lampau dan pin penutupan.

Setiap produk masterGaN didatangkan dengan papan pembangunan prototaip khusus untuk membantu pereka memulakan projek bekalan kuasa baharu dengan cepat.

Kedua-dua papan pembangunan EVALmasterGAN3 dan EVALmasterGAN5 mengandungi litar penjana isyarat pemacu hujung tunggal atau pelengkap. Penjana masa mati boleh laras dipasang pada peranti, bersama-sama dengan antara muka peranti yang berkaitan, yang membolehkan pengguna menggunakan isyarat input atau isyarat PWM yang berbeza, menyambungkan diod bootstrap luaran untuk meningkatkan pemuatan kapasitif dan memasukkan perintang pengesan arus sisi rendah untuk topologi arus puncak.

masterGaN3 dan masterGaN5 kini dalam pengeluaran besar-besaran, menggunakan pakej GQFN 9mm x 9mm yang dioptimumkan untuk aplikasi voltan tinggi, dengan jarak rayapan 2mm antara pad voltan tinggi dan voltan rendah.

Penafian: Artikel ini dicetak semula daripada "STMicroelectronics China". Artikel ini hanya mewakili pandangan peribadi penulis dan tidak mewakili pandangan Sacco Micro dan industri. Ia hanya untuk dicetak semula dan dikongsi bagi menyokong perlindungan hak harta intelek. Sila nyatakan sumber asal dan penulis untuk dicetak semula. Jika terdapat sebarang pelanggaran, sila hubungi kami untuk memadamkannya.

Nombor telefon syarikat: +86-0755-83044319
Faks/FAKS: +86-0755-83975897
E-mel: 1615456225@qq.com
SQ: 3518641314 Pengurus Li

QQ: 332496225 Pengurus Qiu

Alamat: Bilik 809, Bangunan C, Bangunan Teknologi Zhantao, No. 1079 Minzhi Avenue, Daerah Baharu Longhua, Shenzhen