Để tạo điều kiện thuận lợi hơn cho việc chuyển đổi sang công nghệ bán dẫn dải rộng tiết kiệm năng lượng cao, STMicroelectronics đã cho ra mắt hai gói hệ thống nguồn tích hợp, masterGaN3* và masterGaN5, dành cho các ứng dụng chuyển đổi nguồn có công suất lần lượt lên đến 45W và 150W.

Cùng với masterGaN1, masterGaN2 và masterGaN4 dành cho các ứng dụng từ 65W đến 400W, hai sản phẩm mới này mang đến cho các kỹ sư thiết kế bộ nguồn chuyển mạch, bộ sạc, bộ chuyển đổi, bộ hiệu chỉnh hệ số công suất (PFC) điện áp cao và bộ chuyển đổi DC/DC sự linh hoạt hơn trong việc lựa chọn thiết bị gallium nitride (GaN) và giải pháp điều khiển phù hợp.
 

Khái niệm masterGaN của STMicroelectronics đơn giản hóa quy trình phát triển công nghệ nguồn GaN băng thông rộng để thay thế các MOSFET dựa trên silicon thông thường. Sản phẩm mới tích hợp hai transistor công suất 650V với bộ điều khiển cổng điện áp cao được tối ưu hóa và mạch bảo vệ an toàn liên quan, loại bỏ các thách thức trong thiết kế bộ điều khiển cổng và bố trí mạch. Vì transistor GaN có thể đạt được tần số chuyển mạch cao hơn, gói hệ thống nguồn tích hợp mới này cho phép tạo ra các bộ nguồn nhỏ hơn 80% so với các thiết kế dựa trên silicon, đồng thời có độ bền và độ tin cậy cao.

Giá trị điện trở bật (Rds(on)) của hai transistor công suất GaN trong masterGaN3 không bằng nhau, lần lượt là 225mΩ và 450mΩ, thích hợp cho các bộ chuyển đổi chuyển mạch mềm và chỉnh lưu chủ động. Trong masterGaN5, giá trị điện trở bật (Rds(on)) của cả hai transistor đều là 450mΩ, thích hợp cho các cấu trúc như cộng hưởng LLC và bộ chuyển đổi flyback kẹp chủ động.

Giống như các sản phẩm khác trong dòng masterGaN, cả hai thiết bị đều có đầu vào tương thích với tín hiệu logic từ 3.3V đến 15V, giúp đơn giản hóa việc kết nối sản phẩm với bộ điều khiển chủ như bộ xử lý DSP, FPGA hoặc vi điều khiển, và các thiết bị ngoại vi như cảm biến Hall. Các sản phẩm mới này cũng tích hợp các tính năng bảo vệ an toàn, bao gồm khóa điện áp thấp phía cao và phía thấp (UVLO), khóa liên động bộ điều khiển cổng, bảo vệ quá nhiệt và các chân tắt nguồn.

Mỗi sản phẩm masterGaN đều đi kèm với một bo mạch phát triển nguyên mẫu chuyên dụng để giúp các nhà thiết kế nhanh chóng bắt đầu các dự án nguồn điện mới.

Cả hai bo mạch phát triển EVALmasterGAN3 và EVALmasterGAN5 đều chứa mạch tạo tín hiệu điều khiển đơn cực hoặc bổ sung. Một bộ tạo thời gian chết có thể điều chỉnh được được tích hợp sẵn, cùng với các giao diện thiết bị liên quan, cho phép người dùng sử dụng các tín hiệu đầu vào khác nhau hoặc tín hiệu PWM, kết nối diode bootstrap bên ngoài để cải thiện tải điện dung và chèn điện trở cảm biến dòng điện phía thấp cho các cấu trúc dòng điện đỉnh.

Các sản phẩm masterGaN3 và masterGaN5 hiện đang được sản xuất hàng loạt, sử dụng bao bì GQFN 9mm x 9mm được tối ưu hóa cho các ứng dụng điện áp cao, với khoảng cách rò rỉ 2mm giữa các chân điện áp cao và điện áp thấp.

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Bài viết này được đăng lại từ "STMicroelectronics China". Bài viết này chỉ thể hiện quan điểm cá nhân của tác giả và không đại diện cho quan điểm của Sacco Micro và ngành công nghiệp. Bài viết chỉ được đăng lại và chia sẻ để hỗ trợ bảo vệ quyền sở hữu trí tuệ. Vui lòng ghi rõ nguồn và tác giả khi đăng lại. Nếu có bất kỳ sự vi phạm nào, vui lòng liên hệ với chúng tôi để xóa bỏ.

Số điện thoại công ty: +86-0755-83044319
Số fax: +86-0755-83975897
Email: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Quản lý Li

QQ: 332496225 Quản lý Qiu

Địa chỉ: Phòng 809, Tòa nhà C, Tòa nhà Công nghệ Zhantao, Số 1079 Đại lộ Minzhi, Khu Longhua Mới, Thâm Quyến