Для упрощения перехода к высокоэффективной в плане энергопотребления технологии широкозонных полупроводников компания STMicroelectronics выпустила два интегрированных силовых модуля, masterGaN3* и masterGaN5, предназначенных для преобразования энергии мощностью до 45 Вт и 150 Вт соответственно.

Вместе с masterGaN1, masterGaN2 и masterGaN4 для применений мощностью от 65 до 400 Вт, эти два новых продукта предоставляют инженерам, разрабатывающим импульсные источники питания, зарядные устройства, адаптеры, высоковольтные преобразователи коэффициента мощности (PFC) и DC/DC-преобразователи, большую гибкость в выборе подходящего устройства на основе нитрида галлия (GaN) и драйвера.
 

Концепция masterGaN от STMicroelectronics упрощает процесс разработки силовых транзисторов на основе широкозонных GaN-транзисторов, заменяя обычные кремниевые MOSFET-транзисторы. Новый продукт объединяет два силовых транзистора на 650 В с оптимизированными высоковольтными драйверами затвора и соответствующей схемой защиты, устраняя проблемы проектирования драйверов затвора и компоновки схемы. Благодаря возможности достижения более высоких частот переключения, новый интегрированный корпус силовой системы позволяет создавать источники питания, которые на 80% меньше, чем кремниевые аналоги, и отличаются высокой надежностью и отказоустойчивостью.

Значения сопротивления в открытом состоянии (Rds(on)) двух силовых транзисторов на основе GaN в masterGaN3 неравны: 225 мОм и 450 мОм соответственно, что делает его подходящим для преобразователей с мягким переключением и активным выпрямлением. В masterGaN5 значение сопротивления в открытом состоянии (Rds(on)) обоих транзисторов составляет 450 мОм, что подходит для таких топологий, как LLC-резонанс и обратноходовой преобразователь с активным ограничением.

Как и другие представители семейства продуктов masterGaN, оба устройства имеют входы, совместимые с логическими сигналами от 3.3 В до 15 В, что упрощает подключение самого продукта к контроллерам, таким как DSP-процессоры, FPGA или микроконтроллеры, а также к внешним устройствам, таким как датчики Холла. Новые продукты также включают в себя функции защиты, в том числе блокировку при пониженном напряжении (UVLO) на верхнем и нижнем плечах, блокировку драйвера затвора, защиту от перегрева и выводы отключения.

Каждый продукт masterGaN поставляется со специальной платой для разработки прототипов, которая помогает разработчикам быстро запускать новые проекты по созданию источников питания.

Как платы разработки EVALmasterGAN3, так и EVALmasterGAN5 содержат схему генератора однополярного или комплементарного управляющего сигнала. На плате имеется регулируемый генератор мертвого времени, а также соответствующие интерфейсы устройств, позволяющие пользователю использовать различные входные сигналы или ШИМ-сигналы, подключать внешний диод бутстрепа для улучшения емкостной нагрузки и вставлять резистор измерения тока нижнего плеча для топологий пикового тока.

В настоящее время осуществляется серийное производство микросхем masterGaN3 и masterGaN5 в корпусе GQFN размером 9 мм x 9 мм, оптимизированном для высоковольтных применений, с расстоянием утечки 2 мм между высоковольтными и низковольтными контактными площадками.

Отказ от ответственности: Данная статья перепечатана из «STMicroelectronics China». Эта статья отражает только личное мнение автора и не представляет точку зрения Sacco Micro и отрасли в целом. Перепечатка и распространение предназначены исключительно для защиты прав интеллектуальной собственности. Пожалуйста, указывайте первоисточник и автора при перепечатке. В случае нарушения авторских прав, пожалуйста, свяжитесь с нами для удаления публикации.

Номер телефона компании: +86-0755-83044319
Факс: +86-0755-83975897
Почта: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Менеджер Ли

QQ: 332496225 Менеджер Цю

Адрес: Комната 809, корпус C, технологический корпус Чжаньтао, проспект Миньчжи, 1079, новый район Лунхуа, Шэньчжэнь.