為了讓高能效寬禁帶半導體技術的過渡更加便捷，意法半導體發布了兩個整合式電源系統封裝，masterGaN3* 和 masterGaN5，分別適用於高達 45W 和 150W 的功率轉換應用。

意法半導體 (STMicroelectronics) 的 masterGaN 概念簡化了 GaN 寬禁帶功率技術的開發流程，可取代傳統的矽基 MOSFET。這款新產品整合了兩個 650V 功率電晶體，並配備了優化的高壓閘極驅動器和相關的安全保護電路，解決了閘極驅動器和電路佈局設計的難題。由於 GaN 電晶體能夠實現更高的開關頻率，因此這種新型整合電源系統封裝能夠實現比矽基設計小 80% 的電源，並且具有極高的穩健性和可靠性。

masterGaN3的兩個GaN功率電晶體的導通電阻(Rds(on))值不相等，分別為225mΩ和450mΩ，使其適用於軟開關和主動整流轉換器。 masterGaN5中兩個電晶體的導通電阻(Rds(on))值均為450mΩ，適用於LLC諧振和有源箝位反激轉換器等拓樸結構。

與 masterGaN 產品系列的其他成員一樣，這兩款裝置均具有相容 3.3V 至 15V 邏輯訊號的輸入，從而簡化了產品與主機控制器（例如 DSP 處理器、FPGA 或微控制器）以及外部裝置（例如霍爾感測器）的連接。此外，這兩款新產品還整合了多種安全保護功能，包括高側和低側欠壓鎖定 (UVLO)、閘極驅動器互鎖、過溫保護和關斷引腳。

每個 masterGaN 產品都配有專用的原型開發板，以協助設計人員快速啟動新的電源專案。

EVALmasterGAN3 和 EVALmasterGAN5 開發板皆包含單端或互補驅動訊號產生器電路。板載可調死區時間發生器以及相關的裝置接口，允許使用者使用不同的輸入訊號或 PWM 訊號，連接外部自舉二極體以改善容性負載，並插入低側電流檢測電阻以建立峰值電流拓撲結構。

masterGaN3 和 masterGaN5 現已投入量產，採用 9mm x 9mm GQFN 封裝，針對高壓應用進行了優化，高壓焊盤和低壓焊盤之間的爬電距離為 2mm。

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