Afin de faciliter la transition vers une technologie de semi-conducteurs à large bande interdite à haut rendement énergétique, STMicroelectronics a lancé deux boîtiers de systèmes d'alimentation intégrés, masterGaN3* et masterGaN5, pour des applications de conversion de puissance jusqu'à 45 W et 150 W respectivement.

Avec masterGaN1, masterGaN2 et masterGaN4 pour les applications de 65 W à 400 W, ces deux nouveaux produits offrent aux ingénieurs concevant des alimentations à découpage, des chargeurs, des adaptateurs, des systèmes de correction du facteur de puissance (PFC) haute tension et des convertisseurs CC/CC une plus grande flexibilité dans le choix du dispositif en nitrure de gallium (GaN) et de la solution de commande appropriés.
 

Le concept masterGaN de STMicroelectronics simplifie le développement de la technologie de puissance à large bande interdite GaN, remplaçant ainsi les MOSFET classiques à base de silicium. Ce nouveau produit intègre deux transistors de puissance 650 V avec des circuits de commande de grille haute tension optimisés et des circuits de protection associés, éliminant les difficultés liées à la conception des circuits de commande et d'implantation. Grâce aux fréquences de commutation plus élevées des transistors GaN, ce nouveau boîtier d'alimentation intégré permet de réaliser des alimentations 80 % plus compactes que les modèles à base de silicium, tout en offrant une robustesse et une fiabilité accrues.

Les résistances à l'état passant (Rds(on)) des deux transistors de puissance GaN du masterGaN3 sont différentes, respectivement de 225 mΩ et 450 mΩ, ce qui le rend adapté aux convertisseurs à commutation douce et à redressement actif. Dans le masterGaN5, la résistance à l'état passant (Rds(on)) des deux transistors est de 450 mΩ, ce qui convient aux topologies telles que la résonance LLC et le convertisseur flyback à limitation active.

À l'instar des autres produits de la gamme masterGaN, ces deux dispositifs sont dotés d'entrées compatibles avec des signaux logiques de 3.3 V à 15 V, simplifiant ainsi leur connexion aux contrôleurs hôtes (processeurs DSP, FPGA ou microcontrôleurs) et aux périphériques externes (capteurs à effet Hall). Ces nouveaux produits intègrent également des fonctions de protection, notamment la protection contre les sous-tensions (UVLO) côté haut et côté bas, le verrouillage du circuit de commande de grille, la protection contre les surchauffes et des broches d'arrêt.

Chaque produit masterGaN est livré avec une carte de développement de prototypes dédiée pour aider les concepteurs à démarrer rapidement de nouveaux projets d'alimentation.

Les cartes de développement EVALmasterGAN3 et EVALmasterGAN5 intègrent un circuit générateur de signal de commande asymétrique ou complémentaire. Elles disposent également d'un générateur de temps mort ajustable et d'interfaces pour périphériques, permettant ainsi d'utiliser différents signaux d'entrée ou des signaux PWM, de connecter une diode d'amorçage externe pour améliorer la charge capacitive et d'insérer une résistance de détection de courant côté bas pour les topologies à courant de crête.

Les masterGaN3 et masterGaN5 sont désormais produits en masse, utilisant un boîtier GQFN de 9 mm x 9 mm optimisé pour les applications haute tension, avec une distance de fuite de 2 mm entre les pastilles haute tension et basse tension.

Avertissement : Cet article est une reproduction de « STMicroelectronics China ». Il reflète uniquement l’opinion de son auteur et n’engage en rien Sacco Micro ni l’industrie. Sa reproduction et son partage visent uniquement à protéger les droits de propriété intellectuelle. Veuillez indiquer la source originale et l’auteur lors de toute reproduction. En cas d’infraction, veuillez nous contacter afin que nous supprimions le contenu.

Numéro de téléphone de l'entreprise : +86-0755-83044319
Fax/FAX : +86-0755-83975897
Courriel : 1615456225@qq.com
QQ : 3518641314 Gestionnaire Li

QQ : 332496225 Gestionnaire Qiu

Adresse : Salle 809, Bâtiment C, Immeuble technologique Zhantao, n° 1079 avenue Minzhi, Nouveau district de Longhua, Shenzhen