场效应晶体管 (FET) 是单极半导体器件，利用电场效应来控制电流。具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点。它用于大规模和超大规模集成电路。

场效应晶体管的工作原理用一句话来说，就是“流经漏极和源极之间沟道的ID，是通过栅极之间的pn结形成的反向偏置栅极电压来控制ID的”。和频道”。更准确地说，ID流经的路径宽度，即沟道的截面积，是由pn结反向偏压的变化来控制的，从而导致了其膨胀的变化。耗尽层。

在VGS=0的不饱和区，由于过渡层的膨胀不是很大，根据漏极和源极之间施加的VDS的电场，源极区的部分电子被漏极拉动，即，电流 ID 从漏极 A 流向源极。从栅极延伸到漏极的过渡层形成沟道的一部分，为堵塞型，ID饱和。这种状态称为夹断。这意味着过渡层阻挡了部分通道，而不是被切断的电流。

扩展信息：

1、可采用场效应管进行放大。由于FET放大器的输入阻抗较高，耦合电容可以很小，不需要电解电容。

2. 场效应管的高输入阻抗非常适合阻抗变换。常用于多级放大器的输入级，进行阻抗变换。

3. FET可用作可变电阻。

4、场效应管可以方便地用作恒流源。

5. FET可用作电子开关。

FET 的工作原理

场效应晶体管的工作原理：流过漏极和源极之间沟道的ID，是通过栅极和沟道之间的pn结形成的反向偏置栅极电压来控制ID的。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有结型场效应管（JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide Semiconductor FET，简称MOS-FET）两种。由多数载流子传导，也称为单极晶体管。

它属于压控半导体器件。它具有输入电阻高（107~1015Ω）、低噪声、低功耗、动态范围大、易于集成、无二次击穿现象、安全工作区宽等优点，现已成为功能强大的双极型晶体管和功率晶体管。竞争者。