Полевые транзисторы (FET) — это униполярные полупроводниковые устройства, которые используют эффект электрического поля для управления потоком тока. Он обладает характеристиками высокого входного сопротивления, низким уровнем шума, хорошей термостабильностью и простым производственным процессом. Он используется в больших и очень больших интегральных схемах.

Принцип работы полевого транзистора изложен в одном предложении, то есть «ИД, протекающий по каналу между стоком и истоком, используется для управления ИД посредством обратносмещенного напряжения на затворе, образуемого pn-переходом между затвором и канал». Точнее, ширина пути, по которому течет ID, то есть площадь поперечного сечения канала, контролируется изменением обратного смещения pn-перехода, в результате чего изменяется расширение слой истощения.

В ненасыщенной области VGS=0, поскольку расширение переходного слоя не очень велико, в соответствии с электрическим полем VDS, приложенным между стоком и истоком, некоторые электроны в области истока притягиваются стоком, т.е. , из стока ток ID течет к истоку. Переходный слой, простирающийся от затвора к стоку, образует часть канала закупоривающего типа, а ИД является насыщенным. Это состояние называется отщеплением. Это означает, что переходный слой блокирует часть канала, а не отсекаемый ток.

Расширенная информация:

1. Полевая трубка может использоваться для усиления. Поскольку входное сопротивление усилителя на полевом транзисторе велико, конденсатор связи может быть небольшим, и электролитический конденсатор не требуется.

2. Высокое входное сопротивление полевого транзистора очень удобно для преобразования импеданса. Он часто используется во входном каскаде многокаскадного усилителя для преобразования импеданса.

3. Полевые транзисторы можно использовать в качестве переменных резисторов.

4. Полевой транзистор можно удобно использовать в качестве источника постоянного тока.

5. Полевые транзисторы можно использовать в качестве электронных переключателей.

Как работают полевые транзисторы

Принцип работы полевого транзистора: ID, протекающий через канал между стоком и истоком, используется для управления ID с помощью обратно смещенного напряжения на затворе, образуемого pn-переходом между затвором и каналом.

Полевой транзистор (аббревиатура полевого транзистора (FET)) называется FET. Существует в основном два типа (переходной полевой транзистор — JFET) и металлооксидно-полупроводниковый полевой транзистор (металлооксидно-полупроводниковый полевой транзистор, называемый MOS-FET). Проводится мажоритарными носителями, также известными как униполярные транзисторы.

Он относится к полупроводниковому устройству, управляемому напряжением. Он обладает такими преимуществами, как высокое входное сопротивление (107 ~ 1015 Ом), низкий уровень шума, низкое энергопотребление, большой динамический диапазон, простота интеграции, отсутствие вторичного пробоя, широкая безопасная рабочая зона и т. д., и теперь он стал мощным биполярным транзистором и силовой транзистор. конкурент.