場效電晶體（FET）是利用電場效應控制電流的單極型半導體元件。它具有輸入阻抗高、雜訊低、熱穩定性好、製造製程簡單等特點，常用於大規模和超大規模積體電路。

場效電晶體的工作原理用一句話來說，就是「流經汲極和源極之間通道的ID，是透過閘極之間的pn接面形成的反向偏壓閘極電壓來控制ID的」。和頻道」。更準確地說，ID流經的路徑寬度，即通道的截面積，是由pn結反向偏壓的變化來控制的，從而導致了其膨脹的變化。

在VGS=0的不飽和區，由於過渡層的膨脹不是很大，根據汲極和源極之間施加的VDS的電場，源極區的部分電子被汲極拉動，即，電流ID 從汲極A 流向源極。從閘極延伸到汲極的過渡層形成通道的一部分，為堵塞型，ID飽和。這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層阻擋了部分通道，而不是被切斷的電流。

擴展信息：

1.可採用場效電晶體進行放大。由於FET放大器的輸入阻抗較高，耦合電容可以很小，不需要電解電容。

2. 場效電晶體的高輸入阻抗非常適合阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級，進行阻抗變換。

3. FET可用作可變電阻。

4.場效電晶體可以方便地用作恆定電流源。

5. FET可用作電子開關。

FET 的工作原理

場效電晶體的工作原理：流過汲極和源極之間通道的ID，是透過閘極和通道之間的pn接面形成的反向偏壓閘極電壓來控制ID的。

場效電晶體（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效電晶體。主要有兩種（結型場效電晶體—JFET）和金屬氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載子傳導，又稱為單極型電晶體。

它屬於壓控半導體裝置。它具有輸入電阻高（107~1015Ω）、低雜訊、低功耗、動態範圍大、易於整合、無二次擊穿現象、安全工作區寬等優點，現已成為功能強大的雙極型電晶體和功率晶體管。競爭者。