I transistor a effetto di campo (FET) sono dispositivi a semiconduttore unipolari che sfruttano l'effetto di un campo elettrico per controllare il flusso di corrente. Presentano le seguenti caratteristiche: elevata impedenza di ingresso, basso rumore, buona stabilità termica e semplice processo di fabbricazione. Sono utilizzati in circuiti integrati di grandi e grandissime dimensioni.

Il principio di funzionamento del transistor ad effetto di campo è detto in una frase, ovvero "l'ID che scorre attraverso il canale tra drain e source viene utilizzato per controllare l'ID mediante la tensione di gate polarizzata inversa formata dalla giunzione pn tra il gate e il canale". Per essere più precisi, la larghezza del percorso attraverso il quale scorre l'ID, cioè l'area della sezione trasversale del canale, è controllata dalla variazione della polarizzazione inversa della giunzione pn, con conseguente variazione dell'espansione della strato di esaurimento.

Nella regione insatura di VGS=0, poiché l'espansione dello strato di transizione non è molto grande, a seconda del campo elettrico di VDS applicato tra drain e source, alcuni elettroni nella regione di source vengono attirati dal drain, cioè , dallo scarico Un ID corrente fluisce alla sorgente. Lo strato di transizione che si estende dal gate al drain fa parte del canale come tipo di tamponamento e l'ID è saturo. Questo stato è chiamato pinch-off. Ciò significa che lo strato di transizione blocca parte del canale e non la corrente che viene interrotta.

Informazioni estese:

1. Il tubo ad effetto di campo può essere utilizzato per l'amplificazione. Poiché l'impedenza di ingresso dell'amplificatore FET è elevata, il condensatore di accoppiamento può essere piccolo e il condensatore elettrolitico non è necessario.

2. L'elevata impedenza di ingresso del FET è molto adatta per la trasformazione dell'impedenza. Viene spesso utilizzato nello stadio di ingresso dell'amplificatore multistadio per la trasformazione dell'impedenza.

3. I FET possono essere utilizzati come resistori variabili.

4. Il FET può essere convenientemente utilizzato come sorgente di corrente costante.

5. I FET possono essere utilizzati come interruttori elettronici.

Come funzionano i FET

Il principio di funzionamento del transistor ad effetto di campo: l'ID che scorre attraverso il canale tra il drain e la source viene utilizzato per controllare l'ID mediante la tensione di gate polarizzata inversa formata dalla giunzione pn tra il gate e il canale.

Transistor a effetto di campo (abbreviazione di Field Effect Transistor (FET)), noto anche come FET. Esistono principalmente due tipi (FET a giunzione - JFET) e transistor a effetto di campo a semiconduttore metallo-ossido (FET a semiconduttore metallo-ossido, noto anche come MOS-FET). Condotti da portatori maggioritari, sono noti anche come transistor unipolari.

Appartiene a un dispositivo a semiconduttore controllato in tensione. Presenta i vantaggi di elevata resistenza di ingresso (107~1015Ω), basso rumore, basso consumo energetico, ampia gamma dinamica, facile integrazione, nessun fenomeno di guasto secondario, ampia area di lavoro sicura, ecc., ed è ora diventato un potente transistor bipolare e transistor di potenza. concorrente.