Transistores de efeito de campo (FETs) são dispositivos semicondutores unipolares que usam o efeito de um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente. Possui características de alta impedância de entrada, baixo ruído, boa estabilidade térmica e processo de fabricação simples. É usado em circuitos integrados de grande e muito grande escala.

O princípio de funcionamento do transistor de efeito de campo é dito em uma frase, ou seja, "o ID que flui através do canal entre o dreno e a fonte é usado para controlar o ID pela tensão de porta polarizada reversa formada pela junção pn entre o portão e o canal". Para ser mais preciso, a largura do caminho através do qual o ID flui, ou seja, a área da seção transversal do canal, é controlada pela mudança na polarização reversa da junção pn, resultando em uma mudança na expansão do camada de esgotamento.

Na região insaturada de VGS = 0, como a expansão da camada de transição não é muito grande, de acordo com o campo elétrico do VDS aplicado entre o dreno e a fonte, alguns elétrons da região da fonte são puxados pelo dreno, ou seja , do dreno Um ID atual flui para a fonte. A camada de transição que se estende da comporta até o dreno faz parte do canal como um tipo de obstrução e o ID está saturado. Este estado é chamado de pinçamento. Isso significa que a camada de transição bloqueia parte do canal, e não a corrente sendo cortada.

Informações estendidas:

1. O tubo de efeito de campo pode ser usado para amplificação. Como a impedância de entrada do amplificador FET é alta, o capacitor de acoplamento pode ser pequeno e o capacitor eletrolítico não é necessário.

2. A alta impedância de entrada do FET é muito adequada para transformação de impedância. É frequentemente usado no estágio de entrada de amplificadores de vários estágios para transformação de impedância.

3. Os FETs podem ser usados ​​como resistores variáveis.

4. O FET pode ser convenientemente usado como uma fonte de corrente constante.

5. Os FETs podem ser usados ​​como interruptores eletrônicos.

Como funcionam os FETs

O princípio de funcionamento do transistor de efeito de campo: o ID que flui através do canal entre o dreno e a fonte é usado para controlar o ID pela tensão de porta polarizada reversa formada pela junção pn entre a porta e o canal.

Transistor de efeito de campo (abreviatura de transistor de efeito de campo (FET)) referido como FET. Existem principalmente dois tipos (junção FET-JFET) e transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (FET semicondutor de óxido metálico, conhecido como MOS-FET). Conduzido por portadores majoritários, também conhecidos como transistores unipolares.

Pertence a um dispositivo semicondutor controlado por tensão. Tem as vantagens de alta resistência de entrada (107 ~ 1015Ω), baixo ruído, baixo consumo de energia, grande faixa dinâmica, fácil integração, nenhum fenômeno de ruptura secundária, ampla área de trabalho segura, etc., e agora se tornou um poderoso transistor bipolar e transistor de potência. concorrente.