ทรานซิสเตอร์สนามผล (FET) เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์แบบขั้วเดียวที่ใช้ผลของสนามไฟฟ้าเพื่อควบคุมการไหลของกระแสไฟฟ้า มีลักษณะของความต้านทานอินพุตสูง สัญญาณรบกวนต่ำ เสถียรภาพทางความร้อนที่ดีและกระบวนการผลิตที่เรียบง่าย มันถูกใช้ในวงจรรวมขนาดใหญ่และขนาดใหญ่มาก

หลักการทำงานของทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามกล่าวในประโยคเดียวนั่นคือ "ID ที่ไหลผ่านช่องสัญญาณระหว่างท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิดถูกใช้เพื่อควบคุม ID โดยแรงดันเกตไบแอสแบบย้อนกลับที่เกิดขึ้นจากจุดเชื่อมต่อ pn ระหว่างเกต และช่อง" เพื่อให้แม่นยำยิ่งขึ้น ความกว้างของเส้นทางที่ ID ไหลผ่าน นั่นคือพื้นที่หน้าตัดของช่องสัญญาณ ถูกควบคุมโดยการเปลี่ยนแปลงในอคติย้อนกลับของจุดเชื่อมต่อ pn ส่งผลให้เกิดการเปลี่ยนแปลงในการขยายตัวของ ชั้นพร่อง

ในพื้นที่ไม่อิ่มตัวของ VGS=0 เนื่องจากการขยายตัวของชั้นทรานซิชันไม่ใหญ่มาก ตามสนามไฟฟ้าของ VDS ที่ใช้ระหว่างท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิด อิเล็กตรอนบางตัวในบริเวณแหล่งกำเนิดจึงถูกดึงโดยท่อระบายน้ำ นั่นคือ จากท่อระบายน้ำ ID ปัจจุบันจะไหลไปยังแหล่งที่มา เลเยอร์การเปลี่ยนแปลงที่ขยายจากประตูไปยังท่อระบายน้ำเป็นส่วนหนึ่งของช่องในลักษณะปลั๊ก และ ID จะอิ่มตัว สถานะนี้เรียกว่าการบีบออก ซึ่งหมายความว่าเลเยอร์การเปลี่ยนแปลงจะบล็อกส่วนหนึ่งของช่องสัญญาณ ไม่ใช่กระแสไฟที่ถูกตัดออก

ข้อมูลเพิ่มเติม:

1. สามารถใช้หลอดเอฟเฟกต์สนามเพื่อขยายสัญญาณได้ เนื่องจากความต้านทานอินพุตของแอมพลิฟายเออร์ FET สูง ตัวเก็บประจุแบบคัปปลิ้งอาจมีขนาดเล็ก และไม่จำเป็นต้องใช้ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้า

2. ความต้านทานอินพุตสูงของ FET เหมาะมากสำหรับการแปลงอิมพีแดนซ์ มักใช้ในสเตจอินพุตของแอมพลิฟายเออร์แบบหลายสเตจสำหรับการแปลงอิมพีแดนซ์

3. FET สามารถใช้เป็นตัวต้านทานแบบปรับค่าได้

4. FET สามารถใช้เป็นแหล่งกระแสคงที่ได้อย่างสะดวก

5. FET สามารถใช้เป็นสวิตช์อิเล็กทรอนิกส์ได้

FET ทำงานอย่างไร

หลักการทำงานของทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนาม: ID ที่ไหลผ่านช่องระหว่างท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิดใช้เพื่อควบคุม ID โดยแรงดันเกตไบแอสแบบย้อนกลับที่เกิดจากจุดเชื่อมต่อ pn ระหว่างเกตและช่อง

ทรานซิสเตอร์สนามผล (ตัวย่อสนามทรานซิสเตอร์ผล (FET)) เรียกว่า FET ส่วนใหญ่มีสองประเภท (ทางแยก FET-JFET) และทรานซิสเตอร์สนามผลเซมิคอนดักเตอร์โลหะออกไซด์ (FET เซมิคอนดักเตอร์โลหะออกไซด์เรียกว่า MOS-FET) ดำเนินการโดยผู้ให้บริการส่วนใหญ่หรือที่เรียกว่าทรานซิสเตอร์แบบยูนิโพลาร์

เป็นของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ควบคุมแรงดันไฟฟ้า มีข้อดีคือมีความต้านทานอินพุตสูง (107 ~ 1015Ω), สัญญาณรบกวนต่ำ, ใช้พลังงานต่ำ, ช่วงไดนามิกขนาดใหญ่, รวมง่าย, ไม่มีปรากฏการณ์การแยกย่อยรอง, พื้นที่ทำงานที่ปลอดภัยกว้าง ฯลฯ และปัจจุบันกลายเป็นทรานซิสเตอร์สองขั้วที่ทรงพลังและ ทรานซิสเตอร์กำลัง คู่แข่ง.