وفقًا لتقرير "Wuxi Daily"، في 7 أكتوبر، استقر 19 مشروعًا رئيسيًا للدوائر المتكاملة في Wuxi، باستثمارات إجمالية قدرها30.34 مليار بما فيهاأشباه الموصلات الأساسية و2 مشاريع أشباه الموصلات من الجيل الثالث جينجزان لأشباه الموصلات.        

أشباه الموصلات الأساسية:

عقد مشروع المقر

وفقا للتقارير، وبناء عقد أشباه الموصلات الأساسيةدرجة السيارة مشروع المقر الرئيسي للتصنيع والبحث والتطوير لأشباه الموصلات من الجيل الثالث.
      وسبق أن ذكرت "ثلاثة أجيال ونصف اتجاه الرياح" أن المشروع قيد الإنشاء ومن المتوقع أن يدخل حيز التشغيل بحلول نهاية عام 2021، وسيدخل الإنتاج الضخم في منتصف عام 2022.
    بالإضافة إلى هذا المشروع، لدى Basic Semiconductor 3 خطوط إنتاج قيد الإنشاء: ▲Nanjing Pukou. بدأت قاعدة التصنيع في البناء في مارس 2020 ومن المتوقع أن يتم ربطها بحلول نهاية عام 2021. تطوير العمليات وتصنيعها رقائق كربيد الفوقي; ▲ شارك في بنائه شركة Yizhuang، بكينخط إنتاج بسكويت ويفر كربيد السيليكون 6 بوصة سيحقق الإنتاج الضخم في الربع الرابع من هذا العام؛ ▲بدأ بناء قاعدة صناعة أشباه الموصلات من الجيل الثالث في Shenzhen Pingshan في نهاية عام 2020 ومن المتوقع أن يتم إدخالها حيز الإنتاج في عام 2023، وستصل الطاقة الإنتاجية السنوية إلى2 مليون جهاز كربيد السيليكون.

أشباه الموصلات الكريستالية:

استقر مشروع GaN epitaxy

وفي الوقت نفسه، Jingzhan لأشباه الموصلاتالمواد الفوقي نيتريد الغاليوم كما تم التوقيع على مشاريع البحث والتطوير والتصنيع واستقرت في ووشي. ولم يتم الإعلان بعد عن معلومات المشروع المحددة. بالإضافة إلى هذا المشروع، في مارس 2021، أعلنت منطقة سوتشو الصناعية أيضًا عن "وثيقة التقييم البيئي لمشروع إنتاج وتوسيع رقائق الجاليوم نتريد الفوقي الجديد لشركة Jingzhan لأشباه الموصلات". يهدف المشروع للاستثمار250 مليون يوان، مع إنتاج سنوي من رقائق الجاليوم الفوقي بعد الانتهاءعدد القطع : 500,000 .     وفقًا لموقع Jingzhan الرسمي، في نهاية عام 2014، أخذت Jingzhan زمام المبادرة في إطلاق نيتريد تجاري قائم على السيليكون مقاس 8 بوصة لأول مرة في العالم لمنتجات الرقائق الفوقي الغاليوم. حتى الآن، أكملت Jingzhan جولة التمويل A+ لتوسيع نطاق الإنتاج. تصل القدرة الإنتاجية الشهرية إلى 150 مم من الرقائق الفوقية GaN-on-Siعدد القطع : 10,000 . في الوقت الحاضر، لدى Jingzhan أكثر من 150 شركة معروفة لأشباه الموصلات وعملاء معاهد الأبحاث حول العالم. ومنذ وقت ليس ببعيد، أظهرت شركة Jingzhan Semiconductor أيضًا رقاقة GaN الفوقي القائمة على السيليكون بقياس 12 بوصة و1200 فولت، وهي الأكثر ملاءمة لاستخدام التيار الرئيسي.سيموس 12 بوصة مهد خط الإنتاج الطريق لترانزستورات GaN HEMT.

إخلاء المسؤولية: هذه المقالة مستنسخة من "اتجاه الجيل الثالث لأشباه الموصلات". هذه المقالة تمثل فقط آراء المؤلف الشخصية، وليس آراء Sac Micro والصناعة، وهي مخصصة لإعادة الطباعة والمشاركة فقط، ودعم حماية حقوق الملكية الفكرية، يرجى الإشارة إلى المصدر الأصلي والمؤلف لإعادة الطباعة، إذا كان هناك أي انتهاك ، يرجى الاتصال بنا لحذفه.