Menurut laporan "Wuxi Daily", pada 7 Oktober, 19 projek litar bersepadu utama telah diselesaikan di Wuxi, dengan jumlah pelaburan sebanyak30.34 bilion termasukSemikonduktor Asas dan 2 projek semikonduktor generasi ketiga daripada Semikonduktor Jingzhan.        

Semikonduktor Asas:

Kontrak projek ibu pejabat

Menurut laporan, pembinaan kontrak semikonduktor asasGred kenderaan Projek ibu pejabat R&D dan pembuatan semikonduktor generasi ketiga.
      "Three Generations and a Half Wind Direction" sebelum ini melaporkan bahawa projek itu sedang dalam pembinaan dan dijangka mula beroperasi pada penghujung 2021, dan akan memasuki pengeluaran besar-besaran pada pertengahan 2022.
    Sebagai tambahan kepada projek ini, Semikonduktor Asas mempunyai 3 barisan pengeluaran dalam pembinaan: ▲Nanjing Pukou Pangkalan pengilangan telah memulakan pembinaan pada Mac 2020 dan dijangka akan disambungkan pada penghujung 2021. Proses pembangunan dan pembuatan wafer epitaxial SiC; ▲Dibina bersama oleh Yizhuang, BeijingBarisan pengeluaran wafer silikon karbida 6 inci akan mencapai pengeluaran besar-besaran pada suku keempat tahun ini; ▲Pangkalan industri semikonduktor generasi ketiga di Shenzhen Pingshan telah memulakan pembinaan pada penghujung 2020 dan dijangka akan dikeluarkan pada 2023, dengan kapasiti pengeluaran tahunan akan mencapai2 juta peranti SiC.

Semikonduktor Kristal:

Projek epitaksi GaN diselesaikan

Pada masa yang sama, Jingzhan Semiconductor'sBahan epitaxial galium nitrida Projek R&D dan perindustrian juga telah ditandatangani dan diselesaikan di Wuxi. Maklumat projek khusus masih belum diumumkan. Sebagai tambahan kepada projek ini, pada Mac 2021, Taman Perindustrian Suzhou juga mengumumkan "Dokumen Penilaian Alam Sekitar untuk Projek Pengeluaran dan Pengembangan Wafer Epitaxial Gallium Nitride Baharu Jingzhan Semiconductor". Projek itu bercadang untuk melabur250 juta yuan, dengan pengeluaran tahunan wafer epitaxial GaN selepas siapkeping 500,000 .     Menurut laman web rasmi Jingzhan, pada penghujung tahun 2014, Jingzhan mendahului dalam mengeluarkan nitrida berasaskan silikon 8 inci komersial buat kali pertama di dunia produk wafer epitaxial Gallium. Sehingga kini, Jingzhan telah menyelesaikan pusingan pembiayaan A+ untuk mengembangkan skala pengeluaran. Kapasiti pengeluaran bulanan wafer epitaxial GaN-on-Si 150mm mencapaikeping 10,000 . Pada masa ini, Jingzhan mempunyai lebih daripada 150 syarikat semikonduktor terkenal dan pelanggan institut penyelidikan di seluruh dunia. Dan tidak lama dahulu, Jingzhan Semiconductor juga menunjukkan wafer epitaxial GaN berasaskan silikon 12 inci, 1200V, yang paling sesuai untuk penggunaan arus perdana.CMOS 12 inci barisan pengeluaran membuka jalan untuk transistor GaN HEMT.

Penafian: Artikel ini diterbitkan semula daripada "Trend Semikonduktor Generasi Ketiga". Artikel ini hanya mewakili pandangan peribadi pengarang, bukan pandangan Sac Micro dan industri, dan hanya untuk mencetak semula dan berkongsi , menyokong perlindungan hak harta intelek, sila nyatakan sumber asal dan pengarang untuk dicetak semula, jika terdapat sebarang pelanggaran , sila hubungi kami untuk memadamkannya.