Jak wynika z raportu „Wuxi Daily”, 7 października w Wuxi osiedliło się 19 dużych projektów układów scalonych, których łączna wartość inwestycji wyniosła30.34 mld włącznie zPodstawowe półprzewodniki oraz 2 projekty półprzewodników trzeciej generacji Półprzewodnik Jingzhan.        

Podstawowe półprzewodniki:

Umowa na projekt siedziby

Według doniesień, podstawowe kontrakty na budowę półprzewodnikówKlasa pojazdu Projekt siedziby badawczo-rozwojowej i produkcyjnej w zakresie półprzewodników trzeciej generacji.
      „Trzy pokolenia i kierunek pół wiatru” już wcześniej informowały, że projekt jest w budowie i ma zostać oddany do użytku pod koniec 2021 r., a masowa produkcja wejdzie w połowie 2022 r.
    Oprócz tego projektu firma Basic Semiconductor posiada w budowie 3 linie produkcyjne: ▲Nanjing Pukou Budowa bazy produkcyjnej rozpoczęła się w marcu 2020 r., a podłączenie ma nastąpić do końca 2021 r. Rozwój procesów i produkcja Płytki epitaksjalne SiC; ▲ Współbudowany przez Yizhuang w PekinieLinia do produkcji 6-calowych płytek z węglika krzemu osiągnie masową produkcję w czwartym kwartale tego roku; ▲ Budowa bazy przemysłu półprzewodników trzeciej generacji w Shenzhen Pingshan rozpoczęła się pod koniec 2020 r. i oczekuje się, że zostanie oddana do produkcji w 2023 r., a roczna zdolność produkcyjna osiągnie2 miliony urządzeń SiC.

Półprzewodnik kryształowy:

Projekt epitaksji GaN rozstrzygnięty

W tym samym czasie Jingzhan SemiconductorMateriały epitaksjalne z azotku galu W Wuxi podpisano i rozliczono także projekty badawczo-rozwojowe i industrializacyjne. Konkretne informacje o projekcie nie są jeszcze znane. Oprócz tego projektu w marcu 2021 r. Suzhou Industrial Park ogłosił również „Dokument oceny środowiskowej dla nowego projektu produkcji i rozbudowy płytek epitaksjalnych z azotku galu firmy Jingzhan Semiconductor”. Projekt zakłada inwestycje250 milionów juanów, z roczną produkcją płytek epitaksjalnych GaN po ukończeniu500,000 szt. .     Według oficjalnej strony internetowej firmy Jingzhan pod koniec 2014 roku firma Jingzhan objęła wiodącą rolę we wprowadzaniu na rynek komercyjnych 8-calowych płytek epitaksjalnych na bazie azotku krzemu, po raz pierwszy na świecie. Do tej pory Jingzhan zakończył rundę finansowania A+ w celu rozszerzenia skali produkcji. Osiąga miesięczną zdolność produkcyjną płytek epitaksjalnych GaN-on-Si o średnicy 150 mm10,000 szt. . Obecnie Jingzhan ma ponad 150 znanych firm zajmujących się półprzewodnikami i klientów instytutów badawczych na całym świecie. Niedawno firma Jingzhan Semiconductor pokazała również 12-calową płytkę epitaksjalną GaN na bazie krzemu o napięciu 1200 V, która jest najbardziej odpowiednia do stosowania w głównym nurcie12-calowy CMOS linia produkcyjna utorowała drogę tranzystorom GaN HEMT.

Zastrzeżenie: Ten artykuł jest reprodukcją z „Trendu w zakresie półprzewodników trzeciej generacji”. Ten artykuł przedstawia wyłącznie osobiste poglądy autora, a nie poglądy Sac Micro i branży, i służy wyłącznie do przedrukowywania i udostępniania, wspiera ochronę praw własności intelektualnej. Proszę wskazać oryginalne źródło i autora w przypadku przedruku, jeśli istnieje jakiekolwiek naruszenie , skontaktuj się z nami, aby go usunąć.