7월 19일 '무석일보' 보고서에 따르면 XNUMX월 XNUMX일 XNUMX개의 주요 집적회로 프로젝트가 무석에 정착했으며 총 투자액은30.34 억 웹사이트 통합을 원활하게 구현해드립니다.기본 반도체 및 2개의 XNUMX세대 반도체 프로젝트 징잔반도체.        

기본 반도체:

본사 프로젝트 계약

보도에 따르면 기본 반도체 계약 건설차량등급 3세대 반도체 R&D 및 제조 본부 프로젝트입니다.
      '삼세대 반풍향'은 앞서 이 프로젝트가 건설 중이며 2021년 말 가동에 들어갈 예정이며 2022년 중반 양산에 들어갈 것이라고 보도한 바 있다.
    이 프로젝트 외에도 Basic Semiconductor는 3개의 생산 라인을 건설 중입니다. ▲Nanjing Pukou 제조 기지는 2020년 2021월 건설을 시작했으며 XNUMX년 말까지 연결될 예정입니다. SiC 에피택셜 웨이퍼; ▲베이징 이장(Yizhuang)이 공동 건설6인치 탄화규소 웨이퍼 생산라인 올해 2020분기에 양산을 달성할 예정이다. ▲심천 핑산(Shenzhen Pingshan)의 2023세대 반도체 산업 기지는 XNUMX년 말 착공해 XNUMX년 생산에 들어갈 예정이며, 연간 생산 능력은 XNUMX년에 달할 예정이다.2만 개의 SiC 장치.

크리스탈 반도체:

GaN 에피택시 프로젝트 확정

동시에 Jingzhan Semiconductor의질화갈륨 에피텍셜 재료 R&D 및 산업화 프로젝트도 우시에서 체결 및 정착되었습니다. 구체적인 프로젝트 정보는 아직 발표되지 않았습니다. 이 프로젝트 외에도 2021년 XNUMX월 쑤저우 산업단지는 "Jingzhan Semiconductor의 새로운 질화갈륨 에피택셜 웨이퍼 생산 및 확장 프로젝트에 대한 환경 평가 문서"도 발표했습니다. 이 프로젝트는 투자할 계획입니다.250 만 위안화, 완료 후 연간 GaN 에피택셜 웨이퍼 생산량500,000 조각 .     Jingzhan의 공식 웹사이트에 따르면, 2014년 말 Jingzhan은 세계 최초로 갈륨 에피택셜 웨이퍼 제품을 상용화하는 8인치 실리콘 기반 질화물 출시에 앞장섰습니다. 지금까지 Jingzhan은 생산 규모 확장을 위한 A+ 자금 조달 라운드를 완료했습니다. 150mm GaN-on-Si 에피택셜 웨이퍼의 월간 생산 능력은 다음과 같습니다.10,000 조각 . 현재 Jingzhan에는 전 세계적으로 150개 이상의 유명 반도체 회사와 연구소 고객이 있습니다. 그리고 얼마 전 Jingzhan Semiconductor는 주류 사용에 가장 적합한 12인치, 1200V 실리콘 기반 GaN 에피택셜 웨이퍼도 선보였습니다.12인치 CMOS 생산 라인은 GaN HEMT 트랜지스터의 길을 열었습니다.

면책조항: 이 기사는 "The Third Generation Semiconductor Trend"에서 발췌한 것입니다. 이 글은 작성자의 개인적인 견해일 뿐 삭마이크로와 업계의 견해는 아니며, 전재 및 공유만을 위한 것입니다. 지적 재산권 보호를 지지합니다. 침해가 있는 경우 재인쇄할 원본 출처와 작성자를 명시해 주십시오. , 삭제하려면 당사에 문의하세요.