به گزارش "وکسی دیلی"، در تاریخ 7 اکتبر، 19 پروژه مدار مجتمع بزرگ با سرمایه گذاری کل در وکسی مستقر شدند.30.34 میلیارد شاملنیمه هادی های پایه و 2 پروژه نیمه هادی نسل سوم از نیمه هادی جینگژان.        

نیمه هادی های پایه:

قرارداد پروژه ستاد

بر اساس گزارش ها، ساخت و ساز قرارداد نیمه هادی اساسیدرجه وسیله نقلیه پروژه تحقیقات و توسعه نیمه هادی نسل سوم و ستاد ساخت.
      «سه نسل و نیم جهت باد» پیش از این گزارش داده بود که این پروژه در دست ساخت است و پیش بینی می شود تا پایان سال 2021 به بهره برداری برسد و در اواسط سال 2022 وارد تولید انبوه شود.
    علاوه بر این پروژه، Basic Semiconductor دارای 3 خط تولید در حال ساخت است: ▲Nanjing Pukou پایه تولید در مارس 2020 شروع به ساخت کرده است و انتظار می رود تا پایان سال 2021 متصل شود. توسعه فرآیند و ساخت ویفرهای اپیتاکسیال SiC; ▲ساخته شده توسط Yizhuang، پکنخط تولید ویفر کاربید سیلیکون 6 اینچی در سه ماهه چهارم سال جاری به تولید انبوه دست خواهد یافت. ▲پایگاه صنعت نیمه هادی نسل سوم در شنژن پینگشان ساخت و ساز در پایان سال 2020 آغاز شده است و انتظار می رود در سال 2023 به تولید برسد و ظرفیت تولید سالانه به آن برسد.2 میلیون دستگاه SiC.

نیمه هادی کریستالی:

پروژه اپیتاکسی GaN حل و فصل شد

در همان زمان، Jingzhan نیمه هادیمواد اپیتاکسیال نیترید گالیم پروژه های تحقیق و توسعه و صنعتی سازی نیز در Wuxi امضا و مستقر شدند. هنوز اطلاعات خاصی از پروژه اعلام نشده است. علاوه بر این پروژه، در مارس 2021، پارک صنعتی سوژو همچنین «سند ارزیابی زیست‌محیطی برای پروژه تولید و گسترش ویفر اپیتاکسیال نیترید گالیوم گالیوم نیترید جدید جینگژان» را اعلام کرد. این پروژه قصد سرمایه گذاری دارد250 میلیون یوان، با خروجی سالانه ویفرهای همپای GaN پس از تکمیلقطعات 500,000 .     به گفته وب سایت رسمی Jingzhan، در پایان سال 2014، Jingzhan در عرضه تجاری نیترید 8 اینچی مبتنی بر سیلیکون برای اولین بار در محصولات ویفر اپیتاکسیال گالیوم در جهان پیشتاز شد. تا به حال، جینگژان دور A+ تامین مالی را برای گسترش مقیاس تولید تکمیل کرده است. ظرفیت تولید ماهانه ویفرهای اپیتاکسیال GaN-on-Si 150 میلی متری می رسدقطعات 10,000 . در حال حاضر، Jingzhan دارای بیش از 150 شرکت نیمه هادی معروف و مشتری مؤسسه تحقیقاتی در سراسر جهان است. و چندی پیش، Jingzhan Semiconductor همچنین یک ویفر همپای GaN مبتنی بر سیلیکون 12 اینچی 1200 ولتی را نشان داد که مناسب ترین برای استفاده از جریان اصلی است.CMOS 12 اینچی خط تولید راه را برای ترانزیستورهای GaN HEMT هموار کرد.

سلب مسئولیت: این مقاله از "گرایش نیمه هادی نسل سوم" بازتولید شده است. این مقاله فقط نمایانگر دیدگاه های شخصی نویسنده است، نه دیدگاه های Sac Micro و صنعت، و فقط برای تجدید چاپ و به اشتراک گذاری است، حمایت از حقوق مالکیت معنوی، لطفا منبع اصلی و نویسنده را برای چاپ مجدد در صورت وجود هرگونه تخلف ذکر کنید. لطفا برای حذف آن با ما تماس بگیرید.