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Transistor bipolar SOT-2 1188SB89-R PNP
El transistor NPN de alto rendimiento está diseñado para aplicaciones electrónicas exigentes que requieren un rendimiento y una fiabilidad sólidos. Con una clasificación Vceo de -32 V y un IC máximo de -2 A, este transistor ofrece capacidades de conmutación y manejo de potencia fiables.
Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.
Descripción:
El transistor NPN de alto rendimiento está diseñado para aplicaciones electrónicas exigentes que requieren un rendimiento y una fiabilidad sólidos. Con una clasificación Vceo de -32 V y un IC máximo de -2 A, este transistor ofrece capacidades de conmutación y manejo de potencia fiables.
CARACTERÍSTICAS
● Baja V CE (saturada).
● V CE(sat) = -0.5 V (Típ.)
● (I C /I B = -2A / -0.2A)
Aplicación:
El transistor digital PNP 2SB1188-R es perfectamente adecuado para una variedad de aplicaciones electrónicas, que incluyen:
● Circuitos de alta frecuencia: Ideal para amplificadores de RF y aplicaciones de conmutación de alta velocidad debido a su frecuencia de transición de 100 MHz.
● Amplificadores de potencia: Adecuados para su uso en etapas de amplificación de potencia donde es crucial un alto manejo de corriente y un bajo voltaje de saturación.
● Circuitos de conmutación: Eficientes para tareas de conmutación digital y analógica, ofreciendo un rendimiento fiable con bajas pérdidas de potencia.
● Electrónica automotriz e industrial: Lo suficientemente robusta como para soportar temperaturas extremas y entornos exigentes.
Nombre
Título
Mareas Ideales para Lecciones
Hoja de Datos
Soporte
Soporte
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Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.
13001 Transistor bipolar NPN SOT-23
Marcas: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
2SC3357RF
Marcas: slkor，
2SC3585 R45
Marcas: slkor，
2SC4228 R45
Marcas: slkor，
BCX52-16 Transistores de potencia media PNP de 60 V y 1 A SOT-89
Marcas: slkor， VCEO(V)： 60V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： null- Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
MMBT2222A
Marcas: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 225mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor PXT8050 BJT
Marcas: slkor，
Transistor SOT-2 4226SC24 R323 BJT
Marcas: slkor，
Transistor SOT-3946 MMDT363 BJT
Marcas: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
Transistor SOT-817 BC40-323W NPN BJT
Marcas: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 700mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-323 IC(A)(IC(A))： 50mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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