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2SB1188-R PNP 雙極電晶體 SOT-89

高性能 NPN 電晶體專為需要強大性能和可靠性的嚴苛電子應用而設計。此電晶體的 Vceo 額定值為 -32V,最大 Ic 為 -2A,可提供可靠的功率處理和開關能力。

我們的優勢    

中國的製造流程經過多年的迭代,形成了成熟可靠的技術。許多國際企業選擇在中國進行生產外包。作為中國電子元件製造商,我們的產品在99%的應用中可以完全取代國際主要品牌,無需測試驗證。我們的產品品質一致性高、價格合理、庫存充足、供貨靈活、交貨期短、售後服務專業。    


描述:

高性能 NPN 電晶體專為需要強大性能和可靠性的嚴苛電子應用而設計。此電晶體的 Vceo 額定值為 -32V,最大 Ic 為 -2A,可提供可靠的功率處理和開關能力。


特色

● 低 V CE(飽和)。

V CE(sat) = -0.5V(典型值)

(I C /I B = -2A / -0.2A)


應用:

2SB1188-R PNP 數位電晶體非常適合各種電子應用,包括:

高頻電路:由於其 100MHz 的轉換頻率,非常適合射頻放大器和高速開關應用。

功率放大器:適用於對電流處理能力和飽和電壓要求較高的功率放大級。

開關電路:適用於數位和類比開關任務,提供可靠的效能和低功耗。

汽車和工業電子產品:堅固耐用,足以承受極端溫度和嚴苛環境。


2SB1188-R SOT-89_00.png

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支持

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長壽

 

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