L'industrie mondiale des semi-conducteurs est en haussedates

1. Sous la pression des États-Unis, le gouvernement malaisien a annoncé son intention de renforcer la réglementation de la distribution des puces Nvidia.

2. L'entreprise japonaise Renesas Electronics prévoit de licencier des centaines d'employés et de reporter la production à grande échelle de semi-conducteurs de puissance initialement prévue pour débuter plus tôt cette année.

3. L'ancien PDG d'Intel, Kissinger, a assumé le rôle de président exécutif et de directeur de la technologie de la société technologique américaine Gl00.

4. Des chercheurs allemands ont développé un nouveau type de memristor doté d'une fonctionnalité de mémoire.

5. Le gouvernement indien a ordonné à Samsung India de faire payer à ses dirigeants en Inde 601 millions de dollars d'arriérés d'impôts et d'amendes pour fraude fiscale présumée et fausses déclarations.

6. La startup sud-coréenne de puces Furiosa AI a rejeté l'offre d'acquisition de 800 millions de dollars de Meta, choisissant de continuer à se développer de manière indépendante.

Actualités de l'industrie chinoise des semi-conducteurs

1. Le projet de production d'équipements et de cristaux monocristallins de silicium supraconducteur à haute température a officiellement débuté dans la zone de développement économique et technologique de Yinchuan, avec un investissement total de 10 milliards de RMB.

2. L'Académie chinoise des sciences a développé avec succès une technologie de source lumineuse DUV à semi-conducteurs.

3. Slkor (www.slkoric.com) connaît de fortes ventes de ses capteurs de température infrarouges numériques et de sa série de puces thermopiles infrarouges numériques, lancées en 2024.

4. Zhuhai Haoze Technology a développé avec succès sa première puce d'IA intégrée de stockage et de calcul ultra-haute performance, VVT300.

5. BYD a dévoilé sa plateforme automobile 1000 V et a également lancé une puce d'alimentation SiC de qualité automobile 1500 V.

6. L'équipe de recherche du laboratoire Jiufengshan a préparé avec succès des matériaux à haute mobilité électronique à base de nitrure de gallium polaire azote à base de silicium de 8 pouces pour la première fois au monde.