Ligne d'assistance
● Bonne stabilité et uniformité avec une EAS élevée
● Excellent package pour une bonne dissipation thermique
● Technologie de processus spéciale pour une capacité ESD élevée
MOSFET de puissance à canal N
Caractéristiques générales
● VDS =60V.ID = 60 A
RDS (ON)<11.5 mΩ VGS=10 V (type : 9.1 mQ)
● Conception de cellules haute densité pour une résistance ultra-faible
● Tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés
● Bonne stabilité et uniformité avec un E AS élevé
● Excellent package pour une bonne dissipation thermique
● Technologie de processus spéciale pour une capacité ESD élevée
Application
● Application de commutation de puissance
● Circuits à commutation dure et à haute fréquence
● Alimentation sans interruption
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.















