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SL17N06DN1 MOSFET d'amélioration du canal N TO-252

● Conception de cellules haute densité pour un Rdson ultra faible

● Bonne stabilité et uniformité avec des EA élevés

● Excellent package pour une bonne dissipation thermique

Caractéristiques générales

● V<sub> DS</sub> = 60 V. I<sub> D</sub> = 17 A

R <sub>DS(ON) </sub> < 73 mΩ V <sub>GS</sub> = 10 V

R <sub>DS(ON) </sub> < 88 mΩ à V <sub> GS</sub> = 4.5 V

● Capacité dv/dt améliorée

● Conception de cellules haute densité pour une Rdson ultra-faible

● Bonne stabilité et uniformité avec des EA élevés

● Excellent emballage pour une bonne dissipation thermique

Applications

● Application de commutation de puissance

● Circuits à commutation dure et à haute fréquence

● Entraînement moteur


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Fiche technique
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Longévité

 

Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.

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