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Transistor bipolaire SOT-2 2712SC23-Y NPN
Le 2SC2712-Y est un transistor bipolaire NPN polyvalent conçu pour les applications précises d'amplification et de commutation dans les circuits électroniques. Logé dans un boîtier TO-92 compact, ce transistor présente une tension collecteur-émetteur maximale (Vceo) de 50 V et peut gérer un courant de collecteur continu (Ic) allant jusqu'à 150 mA. Avec une puissance nominale de dissipation (Pd) de 150 mW, il gère efficacement la dissipation thermique dans diverses configurations de circuits. Le 2SC2712-Y se caractérise par une faible tension de saturation (VCE(sat)) de 250 mV à un courant de collecteur de 100 mA et un courant de base de 10 mA, garantissant une perte d'énergie minimale pendant le fonctionnement. Il offre un gain de courant continu (hFE) élevé de 120 à un courant de collecteur de 2 mA et une tension collecteur-émetteur (Vce) de 6 V, ce qui le rend adapté aux applications nécessitant une amplification et un contrôle précis du signal.
Nos avantages
Les processus de fabrication chinois ont subi des années d’itération, aboutissant à des technologies matures et fiables. De nombreuses entreprises internationales optent pour l’externalisation de leur production en Chine. En tant que fabricant de composants électroniques en Chine, nos produits peuvent remplacer entièrement ceux des grandes marques internationales dans 99 % des applications sans avoir besoin de tests de vérification. Nos produits offrent une qualité élevée, des prix raisonnables, un inventaire important, un approvisionnement flexible, des délais de livraison courts et un service après-vente professionnel.
Description :
Le 2SC2712-Y est un transistor bipolaire NPN polyvalent conçu pour les applications précises d'amplification et de commutation dans les circuits électroniques. Logé dans un boîtier TO-92 compact, ce transistor présente une tension collecteur-émetteur maximale (Vceo) de 50 V et peut gérer un courant de collecteur continu (Ic) allant jusqu'à 150 mA. Avec une puissance nominale de dissipation (Pd) de 150 mW, il gère efficacement la dissipation thermique dans diverses configurations de circuits. Le 2SC2712-Y se caractérise par une faible tension de saturation (VCE(sat)) de 250 mV à un courant de collecteur de 100 mA et un courant de base de 10 mA, garantissant une perte d'énergie minimale pendant le fonctionnement. Il offre un gain de courant continu (hFE) élevé de 120 à un courant de collecteur de 2 mA et une tension collecteur-émetteur (Vce) de 6 V, ce qui le rend adapté aux applications nécessitant une amplification et un contrôle précis du signal.
Caractéristiques :
● Haute tension et courant élevé : VPDG = 50 V, jeC = 150 mA (maximum)
● Excellent hFE linéarité : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)= 0.95 (typ.)
● Haute hFE: hFE = 70 700
● Faible bruit : NF = 1 dB (typ.), 10 dB (max)
Applications :
Le transistor 2SC2712-Y convient parfaitement à un large éventail d'applications :
● Amplification du signal : fournit une amplification précise des circuits audio et autres circuits de signaux de faible puissance.
● Applications de commutation : commute efficacement les signaux dans les circuits logiques et les applications de commutation à petite échelle.
● Régulation de tension : contrôle les niveaux de tension dans les régulateurs de tension et les circuits de gestion de l'alimentation.
● Interfaces de capteur : interfaces avec des capteurs en raison de sa faible consommation d'énergie et de ses caractéristiques de gain élevé.
● Surveillance de la température : convient aux applications de détection de température avec une température de fonctionnement allant jusqu'à +125°C.
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Longévité
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13001 Transistor bipolaire NPN SOT-23
Marque: slkor，
2SC3357RF
Marque: slkor，
2SC3585R45
Marque: slkor，
2SC4228R45
Marque: slkor，
BCP56-16
Marque: slkor，
MMBT1616AK NPN Transistor bipolaire SOT-23
Marque: slkor，
MMBT2222A
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MMBT2907 Transistor bipolaire PNP SOT-23
Marque: slkor，
MMBT4401 Transistor bipolaire NPN SOT-23
Marque: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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