Service-Hotline
● Sehr niedrige Gate-Ladung
● Ausgezeichneter CdV/dt-Effektabfall
● Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte
Allgemeine Beschreibung
Dies ist der Trench-P-Kanal-MOSFET mit der höchsten Leistung und extrem hoher Zelldichte, der hervorragende R bietetDSON und Gate-Ladung für die meisten synchronen Abwärtswandler-Anwendungen. Erfüllt die RoHS- und Green Product-Anforderungen, 100 % EAS-Garantie mit geprüfter voller Funktionszuverlässigkeit.
Eigenschaften
● Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte
● Sehr niedrige Gate-Ladung
● Ausgezeichneter Rückgang des CdV/dt-Effekts
● 100 % EAS garantiert
● Grünes Gerät verfügbar
Anwendungen
● Synchroner Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler.
● Vernetzung von DC-DC-Stromversorgungssystemen
● Lastschalter
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.















