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Produits
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Transistors à effet de champ en oxyde de métal et silicium FDN337N
● Technologie MOSFET BT Trench Power
● Conception de cellules haute densité pour un faible RDS(ON)
● Commutation haute vitesse
Nos avantages
Les processus de fabrication chinois ont subi des années d’itération, aboutissant à des technologies matures et fiables. De nombreuses entreprises internationales optent pour l’externalisation de leur production en Chine. En tant que fabricant de composants électroniques en Chine, nos produits peuvent remplacer entièrement ceux des grandes marques internationales dans 99 % des applications sans avoir besoin de tests de vérification. Nos produits offrent une qualité élevée, des prix raisonnables, un inventaire important, un approvisionnement flexible, des délais de livraison courts et un service après-vente professionnel.
Description générale
Le MOSFET à amélioration de canal N FDN337N, présenté dans un boîtier SOT-23 compact, est conçu pour la commutation et le contrôle à haut rendement dans diverses applications électroniques. Ses excellentes mesures de performances, notamment une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant de drain importante, en font un composant polyvalent pour la gestion de l'alimentation et la commutation de signaux.
Fonctionnalité
● Technologie MOSFET BT Trench Power
● Conception de cellules haute densité pour une faible RDS (ON)
● Commutation haute vitesse
Applications
● Protection de la batterie
● Interrupteur de charge
● Gestion de l'alimentation
Nom
Objet
Description
Fiche technique
Assistance
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.
IRF9317TR MOSFET d'amélioration du canal P SOP-8
Marque: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： -30V Id(A)： -15A RDSON(Ω)： 8mΩ@-10V, -10A VTH： -1.6V@250μA P/N： P-Channel
IRLML6401 MOSFET de puissance canal P SOT-23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 1μA RDSON(Ω)： 70mΩ@4.5V VTH： 10V P/N： P-Channel
IRLML6402 MOSFET de puissance canal P SOT-23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -3.7A RDSON(Ω)： 0.05Ω@-4.5V, -3.7A VTH： -0.55V P/N： P-Channel
MOSFET SOT-2 d'amélioration de canal N 3019SK523
Marque: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-20 d'amélioration du canal N BSN23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-205 d'amélioration du canal N BSS23N
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-2301 d'amélioration de canal P SL23D
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.3A RDSON(Ω)： 95mΩ@-4.5V,-2.5A VTH： -0.62V@-250μA P/N： P-Channel
MOSFET SOT-2302 d'amélioration du canal N SL23D
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： -2.5A RDSON(Ω)： 50mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-2302 d'amélioration du canal N SL23S
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.6A RDSON(Ω)： 85mΩ@4.5V,2.6A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-2304 d'amélioration du canal N SL23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 3.3A RDSON(Ω)： 60mΩ@10V，3.2A VTH： 3V@250μA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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