Producten
Producten
FDN337N Metaaloxide-Silicium Veldeffecttransistoren

● Trench Power LV MOSFET-technologie

● Celontwerp met hoge dichtheid voor lage RDS(AAN)

● Hogesnelheidsschakeling

Onze voordelen
Chinese productieprocessen hebben jaren van iteratie ondergaan, resulterend in volwassen en betrouwbare technologieën. Veel internationale bedrijven kiezen voor productie-outsourcing in China. Als fabrikant van elektronische componenten in China kunnen onze producten die van grote internationale merken in 99% van de toepassingen volledig vervangen zonder dat er testverificatie nodig is. Onze producten beschikken over een hoge consistentie in kwaliteit, redelijke prijzen, ruime voorraad, flexibel aanbod, korte doorlooptijden en professionele after-sales service. 


Algemene beschrijving

De FDN337N N-Channel Enhancement MOSFET, gepresenteerd in een compact SOT-23-pakket, is ontworpen voor zeer efficiënt schakelen en regelen in verschillende elektronische toepassingen. De uitstekende prestatiegegevens, waaronder een lage aan-weerstand en een aanzienlijk stroomverbruik, maken het tot een veelzijdig onderdeel voor energiebeheer en signaalschakeling.

Kenmerken

● Trench Power LV MOSFET-technologie

● Ontwerp met hoge celdichtheid voor een lage RDS (ON)

● Hogesnelheidsschakeling


Toepassingen

● Batterijbescherming 

● Lastschakelaar 

● Energiebeheer




Naam
Onderwerp
Beschrijving
Data papier
Support

Support

 

Als u ontwerp- of technische ondersteuning nodig heeft, laat het ons dan weten en vul het reactieformulier in. We nemen zo snel mogelijk contact met u op.

Duurzaamheid

 

Het Levensduurprogramma is bedoeld om onze klanten periodiek te informeren over de verwachte levertijd van onze producten. Het programma wordt regelmatig herzien en bijgewerkt door ons managementteam. Bekijk ons ​​levensduurprogramma hier.

whatsapp

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950