Linha de Apoio
Produtos
Produtos
Transistores de efeito de campo de óxido de metal-silício FDN337N
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET
● Design de célula de alta densidade para baixo RDS(ON)
● Comutação de alta velocidade
Nossas vantagens
Os processos de fabricação chineses passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. Nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional.
Descrição geral
O MOSFET de aprimoramento de canal N FDN337N, apresentado em um pacote SOT-23 compacto, foi projetado para comutação e controle de alta eficiência em diversas aplicações eletrônicas. Suas excelentes métricas de desempenho, incluindo baixa resistência e capacidade substancial de corrente de drenagem, tornam-no um componente versátil para gerenciamento de energia e comutação de sinal.
Diferenciais
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET
● Design de células de alta densidade para baixo RDS (ON)
● Comutação de alta velocidade
Aplicações
● Proteção da bateria
● Interruptor de carga
● Gerenciamento de energia
Nome
Título
Descrição
Ficha de dados
Suporte
Suporte
Se precisar de suporte técnico/de design, informe-nos preenchendo o Formulário de Resposta. Entraremos em contato o mais breve possível.
Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.
2SK3018 MOSFET de potência de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W MOSFET de potência de canal N SOT-323
Marcas: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 MOSFET de aprimoramento de canal N SOT-523
Marcas: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
FDN302P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN327N MOSFET de potência de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.0A VTH： 0.7V@250uA P/N： N-Channel
FDN336P Canal P MOSFET SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -1.3A RDSON(Ω)： 105mΩ@-4.5V,-1.3A VTH： -0.7V@-250uA P/N： P-Channel
FDN337N MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal N
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 2.2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.2A VTH： 0.9V@250μA P/N： N-Channel
FDN338P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -1.6A RDSON(Ω)： 75mΩ@-4.5V, -1.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
As linhas de produtos da SLKOR incluem dispositivos discretos, como diodos, transistores e dispositivos de potência; e circuitos integrados, como reguladores lineares, conversores DC/DC, chips de interface, sensores Hall, conversores analógico-digitais (ADCs) e sistemas de gerenciamento de bateria (BMS). Possuímos anos de tecnologia acumulada em semicondutores dedicados.
Precisa de ajuda? Escaneie o código com seu celular para começar a conversar no WhatsApp.
粤公网安备44030002007346号