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Diode de redressement à récupération rapide RS3MBF SMBF
Cette diode présente une tension inverse nominale maximale de 50 V, garantissant des performances fiables dans une variété d'applications. Avec une faible chute de tension directe de 1.3 V et un courant de fuite inverse minimal de seulement 5 μA, elle offre une efficacité optimale et une perte de puissance réduite. La diode est logée dans un boîtier SMBF compact, offrant polyvalence et facilité d'intégration dans diverses conceptions.
NOTRE AVANTAGE
Les processus de fabrication chinois ont subi des années d’itération, aboutissant à des technologies matures et fiables. De nombreuses entreprises internationales optent pour l’externalisation de leur production en Chine. En tant que fabricant de composants électroniques en Chine, nos produits peuvent remplacer entièrement ceux des grandes marques internationales dans 99 % des applications sans avoir besoin de tests de vérification. Nos produits offrent une qualité élevée, des prix raisonnables, un inventaire important, un approvisionnement flexible, des délais de livraison courts et un service après-vente professionnel.
DESCRIPTION
Cette diode présente une tension inverse nominale maximale de 50 V, garantissant des performances fiables dans de nombreuses applications. Avec une faible chute de tension directe de 1.3 V et un courant de fuite inverse minimal de seulement 5 μA, elle offre un rendement optimal et une perte de puissance réduite. La diode est logée dans un boîtier compact. SMBF ensemble offrant polyvalence et facilité d'intégration dans diverses conceptions.
Fonctionnalités
● Pour les applications montées en surface
● Ensemble profil bas
● Jonction de puce passivée en verre
● Sans plomb et conforme aux directives EU RoHS 2011/65/EU
APPLICATIONS
● Redressement de puissance : Convertit efficacement le courant alternatif en courant continu dans les circuits d'alimentation.
● Circuits de commutation : Idéal pour les applications de commutation à grande vitesse grâce à son temps de récupération inverse rapide.
● Diodes de protection : Protègent les composants sensibles contre les pics de tension et l'inversion de polarité.
● Limitation de tension : assure une régulation de tension stable dans les circuits de limitation.
Nom
Objet
Description
Fiche technique
Assistance
Assistance
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Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.
Diode de redressement à récupération rapide ES1DF SMAF
Marque: slkor， VRRM(V)： 200V IO(A)： 1A VF(V)： 1V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SMAF
Diode de redressement à récupération rapide ES1GF SMAF
Marque: slkor， VRRM(V)： 400V IO(A)： 1A VF(V)： 1.25V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SMAF
Diode de redressement à récupération rapide ES1JF SMAF
Marque: slkor， VRRM(V)： 600V IO(A)： null VF(V)： 1.68V IR(A)： 5uA trr(ns)： 35ns Package： SMAF
Diode de redressement à récupération rapide ES2G SMC
Marque: slkor， VRRM(V)： 400V IO(A)： 2A VF(V)： 1.25V IR(A)： 5uA trr(ns)： 35ns Package： SMA
Diode de redressement à récupération rapide ES2GF SMAF
Marque: slkor， VRRM(V)： 400V IO(A)： 1A VF(V)： 1.25V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SMAF
Diode de redressement à récupération rapide ES2JF SMAF
Marque: slkor， VRRM(V)： 600V IO(A)： 1A VF(V)： 1.68V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SMAF
Diode de redressement à récupération rapide ES2JW SOD-123FL
Marque: slkor， VRRM(V)： 600V IO(A)： 2A VF(V)： 1.7V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SOD-123FL
Diode de redressement à récupération rapide ES2M SMA
Marque: slkor， VRRM(V)： 1000V IO(A)： 2A VF(V)： 1.7V IR(A)： 5μA trr(ns)： 75ns Package： SMA
Diode de redressement à récupération rapide ES3DC SMC
Marque: slkor， VRRM(V)： 200V IO(A)： 3A VF(V)： 1.25V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SMC
Diode de redressement à récupération rapide MURF1040CT TO-220F
Marque: slkor， VRRM(V)： 400V IO(A)： 5A VF(V)： 0.92V IR(A)： 0.01μA trr(ns)： 30ns Package： TO-220F
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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