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Transistor RF BFG540/X SOT-143B
Fabriquée avec la technologie d'épitaxie du silicium, la puce présente des caractéristiques telles que des gains de puissance élevés, un faible facteur de bruit, une large fréquence d'inversion, un faible courant de fuite, une structure de pointe en matériau doré et une fiabilité élevée ;
Nos avantages
Les processus de fabrication chinois ont subi des années d’itération, aboutissant à des technologies matures et fiables. De nombreuses entreprises internationales optent pour l’externalisation de leur production en Chine. En tant que fabricant de composants électroniques en Chine, nos produits peuvent remplacer entièrement ceux des grandes marques internationales dans 99 % des applications sans avoir besoin de tests de vérification. Nos produits offrent une qualité élevée, des prix raisonnables, un inventaire important, un approvisionnement flexible, des délais de livraison courts et un service après-vente professionnel.
Description
● Fabriquée avec la technologie d'épitaxie du silicium, la puce présente des caractéristiques telles que des gains de puissance élevés, un faible facteur de bruit, une large fréquence d'inversion, un faible courant de fuite, une structure de pointe en matériau doré et une fiabilité élevée ;
● Il est principalement appliqué aux produits d'amplificateurs à faible bruit à large bande haute fréquence micro-ondes, VHF, UHF et CATV, tels que les tuners SATV, les amplificateurs CATV, les téléphones sans fil numériques analogiques, les détecteurs de radar, les modules de radiofréquence et les amplificateurs de relais en fibre optique. transmission;
● Tension de claquage collecteur-émetteur : BVCEO=12V, courant maximum du collecteur : IC=120mA, puissance perdue du collecteur : PC=400mW, fréquence caractéristique : fT=9GHz ;
● Le boîtier en plastique de surface SOT4B à 143 broches (les broches de collecteur large et les broches à double émetteur) est adopté ; BFG540 et BFG540/X ont les mêmes formes de boîtier mais des définitions de broches différentes.
Fonctionnalité
● BVCEO (Tension de claquage collecteur-émetteur) : 15 V - Garantit des performances stables même dans des environnements à haute tension.
● IC (Collector Current) : 120 mA - Fournit un courant adéquat pour prendre en charge l'amplification du signal haute fréquence.
● fT (Fréquence de transition) : 9 GHz - Assure un traitement du signal à grande vitesse avec une distorsion minimale.
● NF (Noise Figure) : 1.9 dB - Fournit une amplification à faible bruit, conservant la clarté du signal.
● IP1dB (puissance de sortie à un point de compression de 1 dB) : 21 dBm - Fournit une puissance de sortie robuste pour une transmission efficace du signal.
● Package : SOT-143B - Compact et peu encombrant, adapté à diverses applications.
Applications
● Systèmes de communication RF
● Appareils à micro-ondes
● Équipement de diffusion
● Communications par satellite
● Tests et mesures
Nom
Objet
Description
Fiche technique
Assistance
Assistance
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Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.
Transistor RF BFR520 SOT-23
Marque: slkor， BVCEO(V)： 12V IC(mA)： 70mA fT(GHz)： 9GHz NF(dB)： 1.6dB PL1： 26dBm Package： SOT-23
Transistor bipolaire NPN BFG425W-TOB SOT-343R
Marque: slkor，
Transistor bipolaire NPN BFR380F SOT-323
Marque: slkor， BVCEO(V)： 6V
Transistor épitaxial en silicium BFG520/XR SOT-143R
Marque: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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