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Transistor épitaxial en silicium BFG520/XR SOT-143R

Marque : Slkor

Modèle : BFG520/XR-A

Boîtier : SOT-143R

Méthode d'emballage pour l'expédition : ruban adhésif

Poids brut : 0.035175 gramme (g)


Nos avantages

Les processus de fabrication chinois ont subi des années d’itération, aboutissant à des technologies matures et fiables. De nombreuses entreprises internationales optent pour l’externalisation de leur production en Chine. En tant que fabricant de composants électroniques en Chine, nos produits peuvent remplacer entièrement ceux des grandes marques internationales dans 99 % des applications sans avoir besoin de tests de vérification. Nos produits offrent une qualité élevée, des prix raisonnables, un inventaire important, un approvisionnement flexible, des délais de livraison courts et un service après-vente professionnel. 


Description
● La puce est fabriquée avec le procédé d'épitaxie sur silicium, avec des caractéristiques telles qu'un gain de puissance élevé, une large bande passante, un faible bruit, un faible courant de fuite et une faible capacité de jonction ; de plus, elle possède des plages dynamiques relativement larges et des caractéristiques linéaires de courant idéales ;
● Il est principalement appliqué aux amplificateurs à large bande à faible bruit à micro-ondes ultra-haute fréquence, VHF, UHF et CATV, tels que les tuners de télévision par satellite, les amplificateurs CATV, les téléphones sans fil analogiques et numériques, les amplificateurs haute fréquence dans les modules de radiofréquence et les modules optiques ;
● Tension de claquage collecteur-émetteur : BVCEO=15V, courant de collecteur maximal : IC=70mA, dissipation de puissance du collecteur : PC=300mW, fréquence caractéristique : fT=9GHz ;
amplificateurs dans modules radiofréquences et modules optiques;
● La surface SOT143B ou SOT143R des broches (la broche collectrice large et la broche double émetteur) est collée dans un emballage en plastique ;
● Les modèles ON4973/X et BFG520/X présentent les mêmes performances, le même emballage et la même sérigraphie, la seule différence résidant dans les modèles figurant sur les étiquettes.

Caractéristiques :

● Type : Transistor au silicium épitaxial
● Vceo : 15 V (tension collecteur-émetteur)
● Ic : 70 mA (courant de collecteur)
● PD : 300 mW (dissipation de puissance)
● ft : 9 GHz (fréquence de transition)
● Package : généralement disponible en SOT-143 ou en packages compacts similaires

Applications :
Le transistor BFG520/XR trouve des applications dans divers circuits électroniques haute fréquence, notamment :

● Amplification RF : Idéal pour amplifier les signaux dans les circuits RF fonctionnant jusqu'à 9 GHz.
● Communication sans fil : utilisé dans les émetteurs et les récepteurs pour les systèmes de communication sans fil.
● Circuits micro-ondes : convient aux circuits d'oscillateurs et d'amplificateurs micro-ondes.
● Traitement du signal : offre des capacités de traitement du signal à grande vitesse dans les circuits numériques et analogiques.
● Équipement de test : utilisé dans les équipements de test et de mesure nécessitant des performances à haute fréquence.



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Objet
Description
BFG520.pdf
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