इससे पहले आयोजित "2021 सीआईएएस चाइना इंटरनेशनल ऑटोमोटिव-ग्रेड पावर सेमीकंडक्टर वार्षिक सम्मेलन" में, फुडन विश्वविद्यालय के डॉ. लेई गुआंगयिन ने "नई ऊर्जा वाहन मोटर नियंत्रकों में सिलिकॉन कार्बाइड पावर सेमीकंडक्टर्स का अनुप्रयोग" शीर्षक से एक भाषण दिया, जो मुख्य रूप से SiC पावर सेमीकंडक्टर तकनीक से था। फायदे; इलेक्ट्रॉनिक नियंत्रण अनुसंधान एवं विकास फोकस और चुनौतियाँ; विकास की दिशा और संभावना.  
        डॉ. लेई गुआंगयिन, फ़ुडन विश्वविद्यालय      
    रिपोर्ट में, डॉ. लेई गुआंगयिन ने साहसपूर्वक भविष्यवाणी की कि भविष्य में, SiC MOSFETs धीरे-धीरे ड्राइव मोटर नियंत्रकों में मुख्य बिजली उपकरणों के रूप में कुछ Si IGBTs की जगह लेंगे; नियंत्रण की विकास दिशा उच्च शक्ति घनत्व और उच्च प्रणाली एकीकरण है; घरेलू SiC डिजाइन और विनिर्माण तेजी से प्रगति कर रहे हैं, डिवाइस विशेषताएं अंतरराष्ट्रीय अग्रणी स्तर तक पहुंच गई हैं या निकट आ गई हैं, और SiC MOSFET बड़े पैमाने पर उत्पादन जल्द ही आ रहा है।

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