以前開催された「2021 CIAS 中国国際自動車グレードパワー半導体年次会議」では、復旦大学の雷光陰博士が「新エネルギー車モーターコントローラーにおける炭化ケイ素パワー半導体の応用」と題して主にSiCパワー半導体技術について講演した。利点;電子制御の研究開発の焦点と課題。開発の方向性と展望。  
        復旦大学、雷光陰博士      
    報告書の中で、雷光銀博士は、将来、SiC MOSFETが徐々に一部のSi IGBTに取って代わり、駆動モーターコントローラーの主なパワーデバイスとなるだろうと大胆に予測しました。制御の発展方向は、より高い電力密度とより高いシステム統合であり、国内のSiC設計と製造は急速に進歩しており、デバイス特性は国際的にトップレベルに達するか近づいており、SiC MOSFETの量産が間もなく始まります。

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