در "کنفرانس سالانه بین‌المللی خودروهای نیمه‌هادی قدرت 2021 CIAS چین" که قبلاً برگزار شد، دکتر لی گوانگیین از دانشگاه فودان سخنرانی کرد با عنوان "کاربرد نیمه‌هادی‌های قدرت سیلیکون کاربید در کنترل‌کننده‌های موتور خودروهای انرژی جدید، که عمدتاً از فناوری نیمه‌هادی SiC Power هستند. مزایای؛ تمرکز و چالش های تحقیق و توسعه کنترل الکترونیکی؛ جهت و چشم انداز توسعه  
        دکتر لی گوانگین، دانشگاه فودان      
    در این گزارش، دکتر لی گوانگین با جسارت پیش‌بینی کرد که در آینده، MOSFETهای SiC به تدریج جایگزین برخی از IGBTهای Si به عنوان دستگاه‌های اصلی قدرت در کنترل‌کننده‌های موتور درایو خواهند شد. جهت توسعه کنترل، چگالی توان بالاتر و ادغام سیستم بالاتر است. طراحی و تولید داخلی SiC به سرعت در حال پیشرفت است، ویژگی‌های دستگاه به سطح پیشرو بین‌المللی رسیده یا نزدیک شده است و تولید انبوه SiC MOSFET به زودی آغاز می‌شود.

سلب مسئولیت: این مقاله از "رصد صنعت نیمه هادی" تکثیر شده است. این مقاله فقط بیانگر نظر شخصی نویسنده است، نه نظر ساک میکرو و صنعت، فقط برای تجدید چاپ و اشتراک گذاری، پشتیبانی برای حفظ حقوق مالکیت معنوی، لطفا منبع اصلی و نویسنده را برای چاپ مجدد ذکر کنید. در صورت وجود هرگونه تخلف، لطفا با ما تماس بگیرید تا آن را حذف کنیم.