Na "2021 CIAS China International Automotive-grade Power Semiconductor Annual Conference" realizada anteriormente, o Dr. Lei Guangyin da Universidade Fudan fez um discurso intitulado "Aplicação de semicondutores de potência de carboneto de silício em controladores de motor de veículos de nova energia", principalmente da tecnologia de semicondutores SiC Power vantagens; foco e desafios de P&D de controle eletrônico; direção e perspectiva de desenvolvimento.  
        Dr. Lei Guangyin, Universidade Fudan      
    No relatório, o Dr. Lei Guangyin previu ousadamente que, no futuro, os MOSFETs de SiC substituirão gradualmente alguns IGBTs de Si como os principais dispositivos de energia em controladores de motores de acionamento; a direção do desenvolvimento do controle é maior densidade de potência e maior integração do sistema; o projeto e a fabricação nacionais de SiC estão progredindo rapidamente, as características do dispositivo atingiram ou se aproximaram do nível de liderança internacional e a produção em massa de MOSFETs de SiC está chegando em breve.

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