Pada "Persidangan Tahunan Semikonduktor Kuasa Gred Automotif Antarabangsa 2021 CIAS" yang diadakan sebelum ini, Dr. Lei Guangyin dari Universiti Fudan telah menyampaikan ucapan bertajuk "Aplikasi Semikonduktor Kuasa Silikon Karbida dalam Pengawal Motor Kenderaan Tenaga Baharu", terutamanya daripada teknologi semikonduktor Kuasa SiC kelebihan; fokus dan cabaran R&D kawalan elektronik; hala tuju dan prospek pembangunan.  
        Dr Lei Guangyin, Universiti Fudan      
    Dalam laporan itu, Dr. Lei Guangyin dengan beraninya meramalkan bahawa pada masa hadapan, SiC MOSFET secara beransur-ansur akan menggantikan beberapa Si IGBT sebagai peranti kuasa utama dalam pengawal motor pemacu; Arah pembangunan kawalan adalah ketumpatan kuasa yang lebih tinggi dan integrasi sistem yang lebih tinggi; Reka bentuk dan pembuatan SiC domestik sedang berkembang pesat, ciri peranti telah mencapai atau menghampiri tahap terkemuka antarabangsa, dan pengeluaran besar-besaran SiC MOSFET akan datang tidak lama lagi.

Penafian: Artikel ini diterbitkan semula daripada "Pemerhatian Industri Semikonduktor". Artikel ini hanya mewakili pendapat peribadi pengarang, bukan pendapat Sac Micro dan industri, hanya untuk cetakan semula dan perkongsian, sokongan Untuk melindungi hak harta intelek, sila nyatakan sumber asal dan pengarang untuk dicetak semula. Jika terdapat sebarang pelanggaran, sila hubungi kami untuk memadamkannya.