Hari ini, saya membagikan empat rangkaian penggerak gerbang transistor MOS yang umum. Apakah semuanya sudah digunakan?1. Tipe penggerak langsung ICPenggerak langsung IC daya ini adalah mode mengemudi yang paling umum dan paling sederhana.

Gambar 1 IC langsung menggerakkan gerbang MOS

Dengan menggunakan metode ini, kita harus memperhatikan beberapa parameter dan pengaruhnya.

Pertama, periksa manual IC daya untuk arus penggerak puncak maksimum, karena chip IC yang berbeda memiliki kemampuan penggerak yang berbeda.

Kedua, periksa kapasitansi parasit MOSFET, seperti C1, C2 dan C3 pada gambar. Jika kapasitansinya besar maka energi yang dibutuhkan untuk menghidupkan tabung MOS juga besar.

Jika IC daya tidak memiliki arus penggerak puncak yang cukup, transistor akan menyala lebih lambat.Jika kemampuan mengemudi tidak mencukupi, osilasi frekuensi tinggi dapat terjadi pada tepi naik, dan bahkan pengurangan Rg pada Gambar 1 tidak akan menyelesaikan masalah! Namun, kemampuan penggerak IC, kapasitansi parasit MOSFET, kecepatan perpindahan MOSFET dan faktor lainnya juga akan mempengaruhi pilihan hambatan penggerak, sehingga Rg tidak dapat dikurangi tanpa batas waktu.

2. Sirkuit tiang totem meningkatkan berkendara.Fungsi rangkaian penggerak adalah untuk meningkatkan kapasitas suplai arus dan dengan cepat menyelesaikan proses pengisian input kapasitor gerbang. Topologi ini meningkatkan waktu penyalaan, tetapi mengurangi waktu pematian, dan tabung sakelar dapat dihidupkan dengan cepat, menghindari osilasi frekuensi tinggi dari tepi yang meninggi.

Gambar 2 rangkaian tiang totem penggerak yang ditingkatkan

3. Menggerakan rangkaian untuk mempercepat matinya tabung MOS.

Pada saat dimatikan, rangkaian penggerak dapat menyediakan jalur dengan impedansi serendah mungkin, sehingga kapasitor antara gerbang dan sumber MOSFET dapat dikosongkan dengan cepat, dan tabung switching dapat dimatikan dengan cepat.

Untuk memastikan pelepasan cepat kapasitor C2 antara gerbang dan sumber, Rg2 dan dioda D1 dihubungkan secara paralel ke Rg1.D1 biasanya mengadopsi dioda pemulihan cepat, yang mempersingkat waktu mematikan dan mengurangi kerugian mematikan; Fungsi Rg2 adalah untuk mencegah IC power terbakar akibat arus berlebih saat dimatikan.

Gambar 3 rangkaian pematian transistor MOS percepatan

Rangkaian tiang totem juga bisa dimatikan dengan cepat. Bila kemampuan penggerak IC daya mencukupi, rangkaian pada Gambar 2 dapat diperbaiki menjadi bentuk seperti pada gambar berikut.

Gambar 4 peningkatan rangkaian pematian transistor MOS percepatanSangat umum menggunakan triode untuk melepaskan listrik kapasitor GS. Jika emitor Q1 tidak mempunyai hambatan, maka kapasitor antara gerbang dan sumber transistor PNP akan mengalami hubungan pendek ketika dihidupkan, yang dapat mewujudkan pelepasan dalam waktu sesingkat-singkatnya dan meminimalkan kerugian silang ketika dimatikan. .Gambar 4. Karena adanya triode, arus kapasitor antara gerbang dan sumber tidak akan dibuang langsung melalui IC daya, sehingga meningkatkan keandalan rangkaian.

4. Rangkaian penggerak trafo mempercepat matinya tabung MOS.Untuk memenuhi persyaratan penggerak transistor MOS sisi tinggi, seperti yang ditunjukkan pada Gambar 5, driver transformator biasanya digunakan, terkadang untuk isolasi keselamatan.Tujuan R1 adalah untuk menahan induktansi parasit pada PCB agar tidak membentuk osilasi LC dengan C1, dan tujuan desainnya adalah untuk mengisolasi DC dan AC, sekaligus mencegah inti magnet dari saturasi.

Gambar 5 Rangkaian driver MOSFET sisi tinggi

Penafian: Artikel ini direproduksi dari "Hengli Electronics". Artikel ini hanya mewakili pandangan pribadi penulis, dan tidak mewakili pandangan Sacco Micro dan industri. Ini hanya untuk dicetak ulang dan dibagikan untuk mendukung perlindungan hak kekayaan intelektual. Harap sebutkan sumber asli dan penulisnya saat mencetak ulang. Jika ada pelanggaran, silakan hubungi kami untuk menghapusnya.

Telp Perusahaan: +86-0755-83044319
Faks/faks:+86-0755-83975897
Surel: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Manajer Li
QQ: 332496225 Manajer Qiu
Alamat: Kamar 809, Blok C, Gedung Teknologi Zhantao, No.1079 Minzhi Avenue, Distrik Baru Longhua, Shenzhen