Hôm nay, tôi chia sẻ bốn mạch điều khiển cổng bán dẫn MOS phổ biến. Tất cả chúng đã được sử dụng chưa?1. Loại truyền động trực tiếp ICĐiều khiển trực tiếp IC nguồn này là chế độ điều khiển phổ biến và đơn giản nhất.

Hình 1 IC điều khiển trực tiếp cổng MOS

Sử dụng phương pháp này, chúng ta nên chú ý đến một số thông số và tác dụng của chúng.

Trước tiên, hãy kiểm tra hướng dẫn sử dụng IC nguồn để biết dòng điện điều khiển cực đại tối đa, vì các chip IC khác nhau có khả năng điều khiển khác nhau.

Thứ hai, kiểm tra điện dung ký sinh của MOSFET, chẳng hạn như C1, C2 và C3 trong hình. Nếu điện dung lớn thì năng lượng cần thiết để bật ống MOS cũng lớn.

Nếu IC nguồn không có đủ dòng điện cực đại thì bóng bán dẫn sẽ bật với tốc độ chậm hơn.Nếu khả năng điều khiển không đủ, dao động tần số cao có thể xảy ra ở cạnh tăng và thậm chí giảm Rg trong Hình 1 cũng không giải quyết được vấn đề! Tuy nhiên, khả năng điều khiển IC, điện dung ký sinh của MOSFET, tốc độ chuyển mạch của MOSFET và các yếu tố khác cũng sẽ ảnh hưởng đến việc lựa chọn điện trở điều khiển, do đó Rg không thể giảm vô thời hạn.

2. Mạch cực vật tổ tăng cường khả năng lái xe.Chức năng của mạch điều khiển là tăng công suất cung cấp dòng điện và nhanh chóng hoàn thành quá trình sạc của đầu vào tụ điện cổng. Cấu trúc liên kết này làm tăng thời gian bật nhưng giảm thời gian tắt và ống công tắc có thể được bật nhanh chóng, tránh dao động tần số cao của cạnh tăng.

Hình 2 mạch tăng cường mạch totem pole

3. Điều khiển mạch để tăng tốc độ tắt ống MOS.

Tại thời điểm tắt, mạch điều khiển có thể cung cấp một đường dẫn có trở kháng thấp nhất có thể, để tụ điện giữa cổng và nguồn MOSFET có thể được phóng điện nhanh chóng và có thể tắt ống chuyển mạch nhanh chóng.

Để đảm bảo tụ điện C2 phóng điện nhanh giữa cổng và nguồn, Rg2 và diode D1 được mắc song song với Rg1.D1 thường sử dụng diode phục hồi nhanh, giúp rút ngắn thời gian tắt và giảm tổn thất khi tắt; Chức năng của Rg2 là ngăn IC nguồn bị cháy do dòng điện quá cao khi tắt.

Hình 3. Mạch tắt bóng bán dẫn MOS tăng tốc

Mạch cực vật tổ cũng có thể được tắt nhanh chóng. Khi khả năng điều khiển của IC nguồn đủ, mạch trong Hình 2 có thể được cải thiện thành dạng như trong hình sau.

Hình 4 cải tiến mạch tắt bóng bán dẫn MOS tăng tốcViệc sử dụng triode để phóng điện của tụ GS là rất phổ biến. Nếu bộ phát của Q1 không có điện trở thì tụ điện giữa cổng và nguồn của bóng bán dẫn PNP sẽ bị đoản mạch khi bật, điều này có thể nhận ra sự phóng điện trong thời gian ngắn nhất và giảm thiểu tổn hao chéo khi tắt .Hình 4. Do có triode nên dòng điện tụ giữa cổng và nguồn sẽ không được phóng điện trực tiếp qua IC nguồn, điều này giúp cải thiện độ tin cậy của mạch.

4. Mạch điều khiển máy biến áp tăng tốc quá trình tắt ống MOS.Để đáp ứng yêu cầu điều khiển các bóng bán dẫn MOS phía cao, như trong Hình 5, người ta thường sử dụng trình điều khiển máy biến áp, đôi khi để cách ly an toàn.Mục đích của R1 là hạn chế độ tự cảm ký sinh trên PCB hình thành dao động LC với C1, và mục đích thiết kế của nó là cách ly DC và AC, đồng thời ngăn lõi từ bão hòa.

Hình 5 Mạch điều khiển MOSFET phía cao

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Bài viết này được sao chép từ "Hengli Electronics". Bài viết này chỉ thể hiện quan điểm cá nhân của tác giả, không thể hiện quan điểm của Sacco Micro và ngành. Nó chỉ dành cho việc in lại và chia sẻ để hỗ trợ việc bảo vệ quyền sở hữu trí tuệ. Vui lòng ghi rõ nguồn và tác giả khi tái bản. Nếu có vi phạm vui lòng liên hệ với chúng tôi để xóa.

Điện thoại công ty: +86-0755-83044319
Fax/fax:+86-0755-83975897
Email: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Quản lý Li
QQ: 332496225 Quản lý Qiu
Địa chỉ: Phòng 809, Khu C, Tòa nhà Công nghệ Zhantao, Số 1079 Đại lộ Minzhi, Quận Mới Long Hoa, Thâm Quyến