כיום, אני חולק ארבעה מעגלי הנעת שער טרנזיסטור MOS נפוצים. האם נעשה שימוש בכולם?1. סוג כונן ישיר ICההנעה הישירה של IC כוח זה היא מצב הנהיגה הנפוץ והפשוט ביותר.

איור 1 IC מניע ישירות את שער MOS

בשיטה זו כדאי לשים לב למספר פרמטרים ולהשפעותיהם.

ראשית, בדוק את מדריך ה- IC הכוח עבור זרם ההנעה המקסימלי, מכיוון שלשבבי IC שונים יש יכולות נהיגה שונות.

שנית, בדקו את הקיבול הטפילי של ה-MOSFET, כגון C1, C2 ו-C3 באיור. אם הקיבול גדול, גם האנרגיה הנדרשת להפעלת צינור ה-MOS גדולה.

אם ל-IC הכוח אין מספיק זרם כונן שיא, הטרנזיסטור יידלק במהירות איטית יותר.אם יכולת הנהיגה אינה מספקת, תנודה בתדר גבוה עלולה להתרחש בקצה העולה, ואפילו הפחתת Rg באיור 1 לא תפתור את הבעיה! עם זאת, יכולת ההנעה של ה-IC, הקיבול הטפילי של ה-MOSFET, מהירות המיתוג של ה-MOSFET וגורמים אחרים ישפיעו גם הם על בחירת התנגדות ההנעה, כך שלא ניתן להפחית את Rg ללא הגבלת זמן.

2. מעגל עמוד טוטם משפר את הנהיגה.תפקידו של מעגל ההנעה הוא להגדיל את קיבולת האספקה ​​הנוכחית ולהשלים במהירות את תהליך הטעינה של כניסת קבל השער. טופולוגיה זו מגדילה את זמן ההדלקה, אך מפחיתה את זמן הכיבוי, וניתן להפעיל את צינור המתג במהירות, תוך הימנעות מתנודה בתדר גבוה של הקצה העולה.

איור 2 כונן משופר במעגל עמוד טוטם

3. הניע את המעגל כדי להאיץ את הכיבוי של צינור MOS.

ברגע הכיבוי, מעגל ההנעה יכול לספק נתיב עם העכבה הנמוכה ביותר האפשרית, כך שהקבל בין השער למקור של ה-MOSFET יוכל להתפרק במהירות, וניתן יהיה לכבות את צינור המיתוג במהירות.

על מנת להבטיח פריקה מהירה של הקבל C2 בין השער למקור, מחוברים במקביל ל-Rg2 Rg1 ודיודה D1.D1 בדרך כלל משתמש בדיודת התאוששות מהירה, מה שמקצר את זמן הכיבוי ומפחית את אובדן הכיבוי; תפקידו של Rg2 הוא למנוע את שריפת ה-IC הכוח עקב זרם מוגזם כאשר הוא כבוי.

איור 3 מאיץ מעגל כיבוי טרנזיסטור MOS

ניתן גם לכבות במהירות את מעגל עמוד הטוטם. כאשר יכולת ההנעה של IC הכוח מספיקה, ניתן לשפר את המעגל באיור 2 לצורה המוצגת באיור הבא.

איור 4 שיפר את מעגל כיבוי הטרנזיסטור של MOSנפוץ מאוד להשתמש בטריודה כדי לפרוק את החשמל של קבלי GS. אם לפולט של Q1 אין התנגדות, הקבל בין השער למקור הטרנזיסטור PNP יקצר כשהוא מופעל, מה שיכול לממש את הפריקה בזמן הקצר ביותר ולמזער את אובדן הצלב כאשר הוא כבוי .איור 4. בגלל קיומה של טריודה, זרם הקבלים בין השער למקור לא יפרק ישירות דרך IC הכוח, מה שמשפר את אמינות המעגל.

4. מעגל כונן השנאי מאיץ את כיבוי צינור MOS.על מנת לעמוד בדרישות של הנעת טרנזיסטורי MOS עם צד גבוה, כפי שמוצג באיור 5, בדרך כלל משתמשים בדרייברים של שנאים, לפעמים לבידוד בטיחותי.מטרת R1 היא לרסן את השראות הטפילית על PCB מיצירת תנודת LC עם C1, ומטרת התכנון שלו היא לבודד DC ו-AC, תוך מניעת הרוויה של הליבה המגנטית.

איור 5 מעגל דרייבר MOSFET בצד גבוה

כתב ויתור: מאמר זה משוכפל מתוך "Hengli Electronics". מאמר זה מייצג רק את דעותיו האישיות של המחבר, ואינו מייצג את דעותיהם של Sacco Micro והתעשייה. זה מיועד רק להדפסה מחדש ולשיתוף כדי לתמוך בהגנה על זכויות קניין רוחני. אנא ציינו את המקור והמחבר המקורי בעת ההדפסה מחדש. אם יש הפרה כלשהי, אנא צור איתנו קשר כדי למחוק אותה.

טל' חברה: +86-0755-83044319
פקס/פקס:+86-0755-83975897
דוא"ל: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 מנהל לי
QQ: 332496225 מנהל Qiu
כתובת: חדר 809, בלוק C, בניין Zhantao Technology, מס' 1079 Minzhi Avenue, Longhua New District, שנזן