Dziś udostępniam cztery popularne obwody sterujące bramką tranzystorową MOS. Czy wszystkie zostały wykorzystane?1. Typ napędu bezpośredniego ICBezpośrednie sterowanie tym układem scalonym mocy jest najpopularniejszym i najprostszym trybem jazdy.

Rys. 1 Układ scalony bezpośrednio steruje bramką MOS

Stosując tę ​​metodę powinniśmy zwrócić uwagę na kilka parametrów i ich skutki.

Najpierw sprawdź instrukcję układu scalonego mocy pod kątem maksymalnego szczytowego prądu sterującego, ponieważ różne układy scalone mają różne możliwości sterowania.

Po drugie, sprawdź pojemność pasożytniczą tranzystora MOSFET, takiego jak C1, C2 i C3 na rysunku. Jeśli pojemność jest duża, energia potrzebna do włączenia lampy MOS również jest duża.

Jeśli układ scalony mocy nie ma wystarczającego szczytowego prądu sterującego, tranzystor włączy się z mniejszą prędkością.Jeśli zdolność napędzania jest niewystarczająca, na zboczu narastającym mogą wystąpić oscylacje o wysokiej częstotliwości i nawet zmniejszenie Rg na rysunku 1 nie rozwiąże problemu! Jednakże zdolność układu scalonego do sterowania, pojemność pasożytnicza tranzystora MOSFET, szybkość przełączania tranzystora MOSFET i inne czynniki również wpływają na wybór rezystancji sterującej, dlatego też Rg nie może być zmniejszane w nieskończoność.

2. Obwód słupa totemu poprawia jazdę.Zadaniem obwodu sterującego jest zwiększenie wydajności prądowej i szybkie zakończenie procesu ładowania wejścia kondensatora bramkowego. Ta topologia zwiększa czas włączenia, ale skraca czas wyłączenia, a lampę przełączającą można szybko włączyć, unikając oscylacji zbocza narastającego o wysokiej częstotliwości.

Rysunek 2. Ulepszony napęd obwodu bieguna totemu

3. Wysteruj obwód, aby przyspieszyć wyłączenie lampy MOS.

W chwili wyłączania układ sterujący może zapewnić ścieżkę o najniższej możliwej impedancji, tak aby kondensator pomiędzy bramką i źródłem MOSFET-u mógł zostać szybko rozładowany, a lampa przełączająca mogła zostać szybko wyłączona.

Aby zapewnić szybkie rozładowanie kondensatora C2 znajdującego się pomiędzy bramką i źródłem, do Rg2 podłączono równolegle rezystor Rg1 i diodę D1.Dioda D1 jest zwykle wyposażona w szybką diodę odzyskującą, która skraca czas wyłączania i zmniejsza straty przy wyłączaniu; Funkcja Rg2 polega na zapobieganiu spaleniu układu scalonego mocy z powodu nadmiernego prądu, gdy jest on wyłączony.

Rys. 3 obwód przyspieszający wyłączanie tranzystora MOS

Obwód słupa totemu można również szybko wyłączyć. Gdy zdolność sterownicza układu scalonego mocy jest wystarczająca, obwód pokazany na rysunku 2 można ulepszyć do postaci pokazanej na poniższym rysunku.

Rys. 4 ulepszony obwód wyłączania przyspieszającego tranzystora MOSBardzo często stosuje się triodę do rozładowywania energii elektrycznej kondensatora GS. Jeżeli emiter Q1 nie ma rezystancji, kondensator pomiędzy bramką a źródłem tranzystora PNP zostanie zwarty po włączeniu, co może spowodować rozładowanie w najkrótszym czasie i zminimalizować straty krzyżowe po wyłączeniu .Rys. 4. Ze względu na obecność triody prąd kondensatora pomiędzy bramką a źródłem nie będzie rozładowywany bezpośrednio przez układ scalony mocy, co poprawia niezawodność obwodu.

4. Obwód napędowy transformatora przyspiesza wyłączenie lampy MOS.Aby spełnić wymagania dotyczące sterowania tranzystorami MOS typu high-side, jak pokazano na rysunku 5, zwykle stosuje się sterowniki transformatorowe, czasami w celu izolacji zabezpieczającej.Celem R1 jest powstrzymanie pasożytniczej indukcyjności na PCB od tworzenia oscylacji LC z C1, a jego celem projektowym jest odizolowanie prądu stałego i prądu przemiennego, jednocześnie zapobiegając nasyceniu rdzenia magnetycznego.

Rysunek 5. Układ sterujący MOSFET-em po stronie wysokiej

Zastrzeżenie: Ten artykuł jest reprodukowany z „Hengli Electronics”. Ten artykuł przedstawia wyłącznie osobiste poglądy autora i nie reprezentuje poglądów Sacco Micro ani branży. Służy wyłącznie do ponownego drukowania i udostępniania w celu wspierania ochrony praw własności intelektualnej. Przy przedruku proszę podać oryginalne źródło i autora. Jeśli doszło do naruszenia, skontaktuj się z nami, aby je usunąć.

Tel firmy: +86-0755-83044319
Faks/faks:+86-0755-83975897
E-mail: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Menedżer Li
QQ: 332496225 Menedżer Qiu
Adres: pokój 809, blok C, budynek Zhantao Technology, nr 1079 Minzhi Avenue, Longhua New District, Shenzhen