امروز، من چهار مدار متداول راه اندازی گیت ترانزیستور MOS را به اشتراک می گذارم. آیا همه آنها استفاده شده اند؟1. نوع درایو مستقیم آی سیرانندگی مستقیم این آی سی برقی رایج ترین و ساده ترین حالت رانندگی است.

شکل 1 آی سی مستقیماً گیت MOS را هدایت می کند

با استفاده از این روش باید به چند پارامتر و تاثیرات آنها توجه کنیم.

ابتدا دفترچه راهنمای آی سی پاور را برای حداکثر حداکثر جریان رانندگی بررسی کنید، زیرا تراشه های آی سی مختلف قابلیت های رانندگی متفاوتی دارند.

در مرحله دوم، ظرفیت انگلی ماسفت مانند C1، C2 و C3 را در شکل بررسی کنید. اگر ظرفیت خازنی زیاد باشد، انرژی مورد نیاز برای روشن کردن لوله MOS نیز زیاد است.

اگر آی سی برق پیک جریان درایو کافی نداشته باشد، ترانزیستور با سرعت کمتری روشن می شود.اگر قابلیت رانندگی ناکافی باشد، ممکن است نوسان با فرکانس بالا در لبه بالارونده رخ دهد و حتی کاهش Rg در شکل 1 مشکل را حل نخواهد کرد! با این حال، توانایی رانندگی آی سی، ظرفیت انگلی ماسفت، سرعت سوئیچینگ ماسفت و عوامل دیگر نیز بر انتخاب مقاومت رانندگی تاثیر می گذارد، بنابراین Rg را نمی توان به طور نامحدود کاهش داد.

2. مدار قطب توتم باعث افزایش رانندگی می شود.عملکرد مدار محرک افزایش ظرفیت تامین جریان و تکمیل سریع فرآیند شارژ ورودی خازن گیت است. این توپولوژی زمان روشن شدن را افزایش می دهد، اما زمان خاموشی را کاهش می دهد و لوله سوئیچ را می توان به سرعت روشن کرد و از نوسانات فرکانس بالا لبه بالارونده جلوگیری کرد.

شکل 2 درایو تقویت شده مدار قطب توتم

3. مدار را برانید تا سرعت خاموش شدن لوله MOS را افزایش دهید.

در لحظه خاموش شدن، مدار محرک می تواند مسیری با کمترین امپدانس ممکن فراهم کند تا خازن بین گیت و منبع ماسفت به سرعت تخلیه شود و لوله سوئیچینگ به سرعت خاموش شود.

برای اطمینان از تخلیه سریع خازن C2 بین گیت و منبع، یک Rg2 و یک دیود D1 به صورت موازی به Rg1 متصل می شوند.D1 معمولاً از دیود بازیابی سریع استفاده می کند که زمان خاموش شدن را کوتاه می کند و تلفات خاموش را کاهش می دهد. عملکرد Rg2 جلوگیری از سوختن آی سی برق به دلیل جریان بیش از حد در هنگام خاموش شدن است.

شکل 3 مدار خاموش شدن ترانزیستور MOS را تسریع می کند

مدار قطب توتم نیز می تواند به سرعت خاموش شود. هنگامی که قابلیت رانندگی آی سی برق کافی باشد، مدار در شکل 2 را می توان به شکل نشان داده شده در شکل زیر بهبود بخشید.

شکل 4 مدار خاموش شدن ترانزیستور MOS را بهبود بخشیداستفاده از تریود برای تخلیه برق خازن GS بسیار رایج است. اگر امیتر Q1 مقاومت نداشته باشد، خازن بین گیت و منبع ترانزیستور PNP در هنگام روشن شدن، اتصال کوتاه پیدا می‌کند که می‌تواند در کوتاه‌ترین زمان تخلیه را متوجه شود و هنگام خاموش شدن، تلفات متقاطع را به حداقل برساند. .شکل 4. به دلیل وجود تریود، جریان خازن بین گیت و منبع مستقیماً از طریق آی سی برق تخلیه نمی شود، که قابلیت اطمینان مدار را بهبود می بخشد.

4. مدار درایو ترانسفورماتور خاموش شدن لوله MOS را تسریع می کند.همانطور که در شکل 5 نشان داده شده است، به منظور برآورده ساختن الزامات رانندگی ترانزیستورهای MOS سمت بالا، معمولاً از درایورهای ترانسفورماتور استفاده می شود، گاهی اوقات برای ایزوله کردن ایمنی.هدف R1 مهار اندوکتانس انگلی روی PCB از ایجاد نوسان LC با C1 است و هدف طراحی آن جداسازی DC و AC است، در حالی که از اشباع هسته مغناطیسی جلوگیری می کند.

شکل 5 مدار درایور MOSFET سمت بالا

سلب مسئولیت: این مقاله از "هنگلی الکترونیکس" تکثیر شده است. این مقاله فقط دیدگاه های شخصی نویسنده را نشان می دهد و دیدگاه های Sacco Micro و صنعت را نشان نمی دهد. این فقط برای تجدید چاپ و به اشتراک گذاری برای حمایت از حمایت از حقوق مالکیت معنوی است. لطفاً هنگام چاپ مجدد منبع و نویسنده اصلی را ذکر کنید. در صورت وجود هرگونه تخلف، لطفا با ما تماس بگیرید تا آن را حذف کنیم.

تلفن شرکت: +86-0755-83044319
فکس/فکس: +86-0755-83975897
ایمیل: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 مدیر لی
QQ: 332496225 مدیر کیو
آدرس: اتاق 809، بلوک C، ساختمان فناوری Zhantao، خیابان Minzhi شماره 1079، منطقه جدید Longhua، شنژن