Hari ini, saya berkongsi empat litar pemacu gerbang transistor MOS biasa. Adakah mereka semua telah digunakan?1. Jenis pemacu terus ICPemanduan terus IC kuasa ini ialah mod pemanduan yang paling biasa dan paling mudah.

Rajah 1 IC memacu terus get MOS

Menggunakan kaedah ini, kita harus memberi perhatian kepada beberapa parameter dan kesannya.

Mula-mula, semak manual IC kuasa untuk arus pemanduan puncak maksimum, kerana cip IC yang berbeza mempunyai keupayaan pemanduan yang berbeza.

Kedua, semak kapasitansi parasit MOSFET, seperti C1, C2 dan C3 dalam rajah. Jika kapasitinya besar, tenaga yang diperlukan untuk menghidupkan tiub MOS juga besar.

Jika IC kuasa tidak mempunyai arus pemacu puncak yang mencukupi, transistor akan dihidupkan pada kelajuan yang lebih perlahan.Jika keupayaan pemanduan tidak mencukupi, ayunan frekuensi tinggi mungkin berlaku pada kelebihan yang semakin meningkat, malah mengurangkan Rg dalam Rajah 1 tidak akan menyelesaikan masalah! Walau bagaimanapun, keupayaan pemanduan IC, kapasitansi parasit MOSFET, kelajuan pensuisan MOSFET dan faktor lain juga akan mempengaruhi pilihan rintangan memandu, jadi Rg tidak boleh dikurangkan selama-lamanya.

2. litar tiang totem meningkatkan pemanduan.Fungsi litar pemanduan adalah untuk meningkatkan kapasiti bekalan semasa dan dengan cepat menyelesaikan proses pengecasan input kapasitor get. Topologi ini meningkatkan masa hidup, tetapi mengurangkan masa mematikan, dan tiub suis boleh dihidupkan dengan cepat, mengelakkan ayunan frekuensi tinggi pada kelebihan yang semakin meningkat.

Rajah 2 litar tiang totem pemacu dipertingkatkan

3. Pandu litar untuk mempercepatkan pemadaman tiub MOS.

Pada saat dimatikan, litar pemanduan boleh menyediakan laluan dengan impedans terendah yang mungkin, supaya kapasitor antara pintu dan sumber MOSFET boleh dilepaskan dengan cepat, dan tiub pensuisan boleh dimatikan dengan cepat.

Untuk memastikan nyahcas pantas kapasitor C2 antara pintu dan punca, Rg2 dan diod D1 disambungkan selari dengan Rg1.D1 biasanya menggunakan diod pemulihan pantas, yang memendekkan masa mematikan dan mengurangkan kehilangan mematikan; Fungsi Rg2 adalah untuk mengelakkan IC kuasa daripada terbakar akibat arus yang berlebihan apabila ia dimatikan.

Rajah 3 memecut litar tutup transistor MOS

Litar tiang totem juga boleh dimatikan dengan cepat. Apabila keupayaan memandu IC kuasa mencukupi, litar dalam Rajah 2 boleh diperbaiki kepada bentuk yang ditunjukkan dalam rajah berikut.

Rajah 4 mempertingkatkan litar penutupan transistor MOS mempercepatkanIa adalah sangat biasa untuk menggunakan triod untuk menyahcas elektrik kapasitor GS. Jika pemancar Q1 tidak mempunyai rintangan, kapasitor antara pintu dan sumber transistor PNP akan menjadi litar pintas apabila ia dihidupkan, yang boleh merealisasikan nyahcas dalam masa yang paling singkat dan meminimumkan kehilangan silang apabila ia dimatikan. .Rajah 4. Kerana kewujudan triod, arus kapasitor antara pintu dan punca tidak akan dilepaskan terus melalui IC kuasa, yang meningkatkan kebolehpercayaan litar.

4. Litar pemacu pengubah mempercepatkan pemadaman tiub MOS.Untuk memenuhi keperluan memandu transistor MOS sisi tinggi, seperti yang ditunjukkan dalam Rajah 5, pemacu pengubah biasanya digunakan, kadangkala untuk pengasingan keselamatan.Tujuan R1 adalah untuk menahan induktansi parasit pada PCB daripada membentuk ayunan LC dengan C1, dan tujuan reka bentuknya adalah untuk mengasingkan DC dan AC, sambil menghalang teras magnet daripada tepu.

Rajah 5 Litar pemacu MOSFET sisi tinggi

Penafian: Artikel ini diterbitkan semula daripada "Hengli Electronics". Artikel ini hanya mewakili pandangan peribadi pengarang, dan tidak mewakili pandangan Sacco Micro dan industri. Ia hanya untuk mencetak semula dan berkongsi untuk menyokong perlindungan hak harta intelek. Sila nyatakan sumber dan pengarang asal semasa mencetak semula. Jika terdapat sebarang pelanggaran, sila hubungi kami untuk memadamkannya.

Tel Syarikat: +86-0755-83044319
Faks/faks:+86-0755-83975897
E-mel: 1615456225@qq.com
SQ: 3518641314 Pengurus Li
QQ: 332496225 Pengurus Qiu
Alamat: Bilik 809, Blok C, Bangunan Teknologi Zhantao, No.1079 Minzhi Avenue, Daerah Baru Longhua, Shenzhen