Layanan Hotline
● Teknologi MOSFET LV Trench Power
● Desain sel berdensitas tinggi untuk RDS Rendah(ON)
● Peralihan Kecepatan Tinggi
Proses manufaktur Tiongkok telah melalui proses berulang selama bertahun-tahun, sehingga menghasilkan teknologi yang matang dan andal. Banyak perusahaan internasional memilih outsourcing produksi di Tiongkok. Sebagai produsen komponen elektronik di Tiongkok, produk kami dapat sepenuhnya menggantikan produk merek internasional utama di 99% aplikasi tanpa memerlukan verifikasi pengujian. Produk kami memiliki konsistensi kualitas yang tinggi, harga yang wajar, persediaan yang cukup, pasokan yang fleksibel, waktu tunggu yang singkat, dan layanan purna jual yang profesional.
SL2319A adalah MOSFET tegangan rendah kanal-P. Fitur-fiturnya meliputi tegangan drain-source 40 V, arus drain kontinu 4.4 A, dan disipasi daya 1.5 W, sehingga cocok untuk aplikasi switching tegangan rendah. Resistansi on-state-nya adalah 90 mΩ @ 10 V, 2 A, dan tegangan ambang gerbangnya adalah 2.5 V @ 250 µA. Dikemas dalam kemasan SOT-23, MOSFET ini memiliki ukuran yang ringkas dan ideal untuk desain PCB yang kompak.
- Tipe: P-Channel - Tegangan Drain-Source (Vdss): 40 V - Arus Drain Kontinu (Id): 4.4 A - Disipasi Daya (Pd): 1.5 W - Resistansi On-state (RDS(on) @ Vgs, Id): 90 mΩ @ 10 V, 2 A - Tegangan Ambang Gerbang (Vgs(th) @ Id): 2.5 V @ 250 µA - Kemasan: SOT-23
Bantuan
Jika Anda memerlukan dukungan desain/teknis, beri tahu kami dan isi Formulir Tanggapan. Kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin.
Umur panjang
Program Keberlangsungan Produk bertujuan untuk memberikan informasi kepada pelanggan kami dari waktu ke waktu tentang perkiraan waktu pemesanan produk kami. Program Keberlangsungan Produk ini ditinjau dan diperbarui secara berkala oleh Tim Manajemen Eksekutif kami. Lihat program keberlangsungan produk kami di sini.















