Hotline usługi
● Technologia MOSFET LV Trench Power
● Konstrukcja ogniw o dużej gęstości dla niskiego poziomu RDS (WŁ.)
● Szybkie przełączanie
Chińskie procesy produkcyjne przeszły lata iteracji, w wyniku czego powstały dojrzałe i niezawodne technologie. Wiele międzynarodowych korporacji decyduje się na outsourcing produkcji w Chinach. Jako producent podzespołów elektronicznych w Chinach, nasze produkty mogą w 99% zastosowań całkowicie zastąpić produkty głównych międzynarodowych marek, bez konieczności przeprowadzania weryfikacji testowej. Nasze produkty charakteryzują się wysoką stałą jakością, rozsądnymi cenami, dużymi zapasami, elastycznymi dostawami, krótkimi terminami realizacji i profesjonalną obsługą posprzedażną.
SL2319A to niskonapięciowy tranzystor MOSFET z kanałem typu P. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło 40 V, ciągłym prądem drenu 4.4 A i stratą mocy 1.5 W, co czyni go idealnym do zastosowań w układach przełączania niskonapięciowego. Jego rezystancja w stanie przewodzenia wynosi 90 mΩ przy 10 V, 2 A, a napięcie progowe bramki wynosi 2.5 V przy 250 µA. Ten tranzystor MOSFET, umieszczony w obudowie SOT-23, ma kompaktowe wymiary i idealnie nadaje się do kompaktowych projektów PCB.
- Typ: kanał P - Napięcie dren-źródło (Vdss): 40 V - Ciągły prąd drenu (Id): 4.4 A - Strata mocy (Pd): 1.5 W - Rezystancja w stanie włączenia (RDS(on) @ Vgs, Id): 90 mΩ @ 10 V, 2 A - Napięcie progowe bramki (Vgs(th) @ Id): 2.5 V @ 250 µA - Obudowa: SOT-23
Wsparcie
Jeśli potrzebujesz wsparcia technicznego lub projektowego, daj nam znać i wypełnij Formularz odpowiedzi. Odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
Długowieczność
Program Długowieczności ma na celu okresowe informowanie naszych klientów o przewidywanym czasie realizacji zamówień na nasze produkty. Program NLP jest regularnie weryfikowany i aktualizowany przez nasz Zespół Zarządzający. Zapoznaj się z naszym programem długowieczności tutaj.















