hotline
Producten
Producten
SL2319A P-kanaalverbetering MOSFET SOT-23
● Trench Power LV MOSFET-technologie
● Celontwerp met hoge dichtheid voor lage RDS (AAN)
● Hogesnelheidsschakeling
Onze voordelen
Chinese productieprocessen hebben jaren van iteratie ondergaan, resulterend in volwassen en betrouwbare technologieën. Veel internationale bedrijven kiezen voor productie-outsourcing in China. Als fabrikant van elektronische componenten in China kunnen onze producten die van grote internationale merken in 99% van de toepassingen volledig vervangen zonder dat er testverificatie nodig is. Onze producten beschikken over een hoge consistentie in kwaliteit, redelijke prijzen, ruime voorraad, flexibel aanbod, korte doorlooptijden en professionele after-sales service.
Productoverzicht
De SL2319A is een P-kanaals laagspannings-MOSFET. Hij heeft een drain-source-spanning van 40 V, een continue drainstroom van 4.4 A en een vermogensdissipatie van 1.5 W, waardoor hij geschikt is voor laagspanningsschakeltoepassingen. De geleidende weerstand bedraagt 90 mΩ bij 10 V, 2 A, en de gate-drempelspanning is 2.5 V bij 250 µA. Deze MOSFET is ondergebracht in een SOT-23-behuizing, heeft een compacte afmeting en is ideaal voor compacte printplaatontwerpen.
Specificaties van het product
- Type: P-kanaal - Drain-source spanning (Vdss): 40 V - Continue drainstroom (Id): 4.4 A - Vermogensdissipatie (Pd): 1.5 W - Aan-weerstand (RDS(on) @ Vgs, Id): 90 mΩ @ 10 V, 2 A - Gate-drempelspanning (Vgs(th) @ Id): 2.5 V @ 250 µA - Behuizing: SOT-23
Toepassingen
- Power management
- Battery Protection
- Laagspanningsschakeling
Naam
Onderwerp
Beschrijving
Data papier
Support
Support
Als u ontwerp- of technische ondersteuning nodig heeft, laat het ons dan weten en vul het reactieformulier in. We nemen zo snel mogelijk contact met u op.
Duurzaamheid
Het Levensduurprogramma is bedoeld om onze klanten periodiek te informeren over de verwachte levertijd van onze producten. Het programma wordt regelmatig herzien en bijgewerkt door ons managementteam. Bekijk ons levensduurprogramma hier.
2SK3018 N-kanaal vermogens-MOSFET SOT-23
Merk: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W N-kanaal vermogens-MOSFET SOT-323
Merk: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 Metaaloxide-silicium veldeffecttransistoren
Merk: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V, 10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
2SK3019 N-kanaalverbetering MOSFET SOT-523
Merk: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
BSN20 N-kanaalverbetering MOSFET SOT-23
Merk: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
BSS205N N-kanaalverbetering MOSFET SOT-23
Merk: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
BSS84 P-kanaalverbeteringsmodus veldeffecttransistor SOT-23
Merk: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P-Channel
FDN302P P-kanaalverbetering MOSFET SOT-23
Merk: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P P-kanaalverbetering MOSFET SOT-23
Merk: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P P-kanaalverbetering MOSFET SOT-23
Merk: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
Hulp nodig? Scan de code met je telefoon om te beginnen met chatten op WhatsApp.
Copyright@2025 Alle rechten voorbehouden
Slkor
粤公网安备44030002007346号